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新一代3D X-DRAM技術(shù)亮相:內(nèi)存容量飆升10倍,將如何改變未來(lái)?

來(lái)源: 責(zé)編: 時(shí)間:2025-05-08 17:51:47 55觀看
導(dǎo)讀近日,半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新先鋒NEO Semiconductor宣布了一項(xiàng)可能重塑DRAM內(nèi)存市場(chǎng)的突破性進(jìn)展——兩款全新的3D X-DRAM單元設(shè)計(jì),即1T1C和3T0C。這兩項(xiàng)設(shè)計(jì)不僅預(yù)示著存儲(chǔ)技術(shù)的重大飛躍,還預(yù)示著未來(lái)內(nèi)存容量的顯著提升。據(jù)

近日,半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新先鋒NEO Semiconductor宣布了一項(xiàng)可能重塑DRAM內(nèi)存市場(chǎng)的突破性進(jìn)展——兩款全新的3D X-DRAM單元設(shè)計(jì),即1T1C和3T0C。這兩項(xiàng)設(shè)計(jì)不僅預(yù)示著存儲(chǔ)技術(shù)的重大飛躍,還預(yù)示著未來(lái)內(nèi)存容量的顯著提升。pea28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

據(jù)悉,1T1C和3T0C分別采用了單晶體管單電容和三晶體管零電容的架構(gòu),這種創(chuàng)新設(shè)計(jì)預(yù)計(jì)將于2026年迎來(lái)概念驗(yàn)證測(cè)試芯片的生產(chǎn)。與傳統(tǒng)DRAM模塊相比,這兩款新設(shè)計(jì)的內(nèi)存容量將實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍,提供至少10倍的容量提升。pea28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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基于NEO的3D X-DRAM技術(shù),新設(shè)計(jì)的內(nèi)存單元能夠在單一模塊上實(shí)現(xiàn)512Gb(即64GB)的驚人容量,這一數(shù)字遠(yuǎn)超當(dāng)前市場(chǎng)上任何一款DRAM模塊。這無(wú)疑為大數(shù)據(jù)處理、高性能計(jì)算和人工智能等領(lǐng)域帶來(lái)了前所未有的機(jī)遇。pea28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

在性能表現(xiàn)方面,NEO的測(cè)試模擬結(jié)果顯示,這些新設(shè)計(jì)的內(nèi)存單元讀寫(xiě)速度可達(dá)10納秒,數(shù)據(jù)保留時(shí)間超過(guò)9分鐘。這兩項(xiàng)性能指標(biāo)均處于當(dāng)前DRAM技術(shù)的最前沿,為用戶(hù)提供了更快、更可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案。pea28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

新設(shè)計(jì)還采用了基于氧化銦鎵鋅(IGZO)的材料,使得1T1C和3T0C單元能夠像3D NAND一樣進(jìn)行堆疊設(shè)計(jì)。這種設(shè)計(jì)不僅提高了存儲(chǔ)容量和吞吐量,還保持了節(jié)能狀態(tài),滿(mǎn)足了現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和低功耗的雙重需求。pea28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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NEO Semiconductor的首席執(zhí)行官Andy Hsu對(duì)此表示:“隨著1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出,我們正站在內(nèi)存技術(shù)變革的前沿。這一創(chuàng)新不僅突破了當(dāng)前DRAM的擴(kuò)展限制,還為NEO贏得了下一代內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。”他進(jìn)一步透露,NEO將在本月的IEEE國(guó)際存儲(chǔ)器研討會(huì)上分享更多關(guān)于這兩款新設(shè)計(jì)以及其他3D X-DRAM和3D NAND系列產(chǎn)品的詳細(xì)信息。pea28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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