據韓國媒體ZDNet Korea報道，三星正計劃在韓國華城和平澤擴大1c DRAM（第六代10nm等級）制程技術的生產。相關投資預計將在年底前啟動，這標志著三星正通過大規模投資縮小與當前市場龍頭SK海力士的差距。
與競爭對手SK海力士和美光選擇1b DRAM（第五代10nm等級）制程技術不同，三星大膽押注更先進的1c DRAM制程技術，顯示出其對提升該技術良率的信心。此外，三星還計劃在2025年底前將華城17號生產線從1z DRAM（第三代10nm等級）制程技術轉為1c DRAM制程技術生產，以進一步擴大產能。
據韓國《朝鮮日報》報道，三星用于12層堆疊HBM4的關鍵組件——4nm制程邏輯芯片，在測試生產中已達成超過40%的良率。市場研究機構TrendForce預測，受強勁市場需求推動，2026年HBM總出貨量將突破300億GB，而新一代HBM4將在2026年下半年超越HBM3e，成為市場主流解決方案。
值得注意的是，三星2025年稍早在平澤第四園區（P4）啟動了首條1c DRAM制程技術產線，目標月產能為3萬片晶圓。若擴產順利，月產能有望提升至4萬片。

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