4月14日，英諾賽科發(fā)布了一則公告，宣布其自主研發(fā)的1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體報(bào)道，這款產(chǎn)品因具備寬禁帶特性，在高壓高頻應(yīng)用場景中表現(xiàn)出色，其零反向恢復(fù)電荷的核心優(yōu)勢能夠進(jìn)一步提升能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率，并推動(dòng)設(shè)備的小型化設(shè)計(jì)。
英諾賽科表示，這款1200V氮化鎵產(chǎn)品在新能源汽車800V平臺中能夠顯著提升車載充電效率，縮小設(shè)備體積，從而延長續(xù)航里程并降低整體成本。同時(shí)，在高壓母線架構(gòu)的AI數(shù)據(jù)中心和工業(yè)電源領(lǐng)域，該產(chǎn)品有助于實(shí)現(xiàn)高效高密度的電源轉(zhuǎn)換，滿足數(shù)據(jù)中心對能源效率的嚴(yán)苛要求，同時(shí)也為工業(yè)電源的小型化和高效化提供了支持。
據(jù)公告介紹，該產(chǎn)品已經(jīng)通過驗(yàn)證，并在中大功率電源領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)。未來，它將被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心等多個(gè)行業(yè)。英諾賽科強(qiáng)調(diào)，氮化鎵技術(shù)對于構(gòu)建更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統(tǒng)具有重要意義。
此外，英諾賽科近期與全球半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）簽署了一項(xiàng)氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議。雙方計(jì)劃共同推動(dòng)該技術(shù)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、汽車及工業(yè)電源系統(tǒng)等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。

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