4月14日，英諾賽科發(fā)布了一則公告，宣布其自主研發(fā)的1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品已成功實現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)集邦化合物半導體報道，這款產(chǎn)品因具備寬禁帶特性，在高壓高頻應用場景中表現(xiàn)出色，其零反向恢復電荷的核心優(yōu)勢能夠進一步提升能源轉換系統(tǒng)的效率，并推動設備的小型化設計。
英諾賽科表示，這款1200V氮化鎵產(chǎn)品在新能源汽車800V平臺中能夠顯著提升車載充電效率，縮小設備體積，從而延長續(xù)航里程并降低整體成本。同時，在高壓母線架構的AI數(shù)據(jù)中心和工業(yè)電源領域，該產(chǎn)品有助于實現(xiàn)高效高密度的電源轉換，滿足數(shù)據(jù)中心對能源效率的嚴苛要求，同時也為工業(yè)電源的小型化和高效化提供了支持。
據(jù)公告介紹，該產(chǎn)品已經(jīng)通過驗證，并在中大功率電源領域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)。未來，它將被廣泛應用于新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心等多個行業(yè)。英諾賽科強調(diào)，氮化鎵技術對于構建更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統(tǒng)具有重要意義。
此外，英諾賽科近期與全球半導體巨頭意法半導體（STMicroelectronics）簽署了一項氮化鎵技術開發(fā)與制造協(xié)議。雙方計劃共同推動該技術在消費電子、數(shù)據(jù)中心、汽車及工業(yè)電源系統(tǒng)等領域的廣泛應用。

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