據傳,三星電子已在華城園區引進了首臺High NA EUV設備,這是實現2納米制程的關鍵設備。
該設備由ASML生產,價值約5000億韓元(約3.5億美元),全球僅ASML能供應。High NA EUV通過提升EUV技術,增強光線聚焦能力,對2納米以下制程至關重要。
三星自2024年起開始評估High NA EUV的制程應用,計劃用于次時代半導體生產。
全球半導體企業正加速引進此設備,如英特爾已簽訂6臺采購合約,臺積電也近期引進。業界認為,三星此舉意在2納米市場發起反攻,與臺積電的競爭將更加激烈。
三星晶圓代工事業部負責人表示,盡管三星率先完成3納米GAA制程轉換,但商用化仍有不足,加速擴產2納米制程是當前首要課題。
據傳,三星計劃完成設備安裝后,全力推動相關生態系建設,內部也在積極調整戰略方向。
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