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突破美制裁，長鑫存儲展示3納米GAA技術(shù)

來源：責編：時間：2023-12-14 16:38:31 379觀看

導(dǎo)讀中國大陸記憶體領(lǐng)軍企業(yè)長鑫存儲（CXMT）在第69屆IEEE國際電子元件年會（IEDM）上亮相，發(fā)布了引領(lǐng)科技潮流的研究成果——3納米級芯片所采用的環(huán)繞式閘極結(jié)構(gòu)（GAA）技術(shù)。盡管該公司尚未提供樣品，但其卓越的研發(fā)成果引起了業(yè)界的廣

中國大陸記憶體領(lǐng)軍企業(yè)長鑫存儲（CXMT）在第69屆IEEE國際電子元件年會（IEDM）上亮相，發(fā)布了引領(lǐng)科技潮流的研究成果——3納米級芯片所采用的環(huán)繞式閘極結(jié)構(gòu)（GAA）技術(shù)。盡管該公司尚未提供樣品，但其卓越的研發(fā)成果引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。

南華早報披露，雖然目前未有MeganeX的樣品面世，但這一設(shè)計的前瞻性激起了業(yè)內(nèi)分析師的興趣，因為這涉及到一些受到美國出口限制的技術(shù)。

長鑫存儲在聲明中表示，這項研究“描述了與DRAM結(jié)構(gòu)和4F2設(shè)計可行性相關(guān)的基礎(chǔ)研究”，并且明確表示與當前生產(chǎn)工藝無關(guān)，表明該技術(shù)還未完全成熟。

長鑫存儲最近宣布成功生產(chǎn)出大陸首款低功耗雙倍資料速率5（LPDDR5）DRAM芯片，縮小了與全球領(lǐng)先企業(yè)如三星和SK海力士的差距。

在全球科技摩擦升級的背景下，美國工業(yè)和安全局設(shè)定了更高的出口標準，限制了中國大陸的芯片制造能力。長鑫存儲的新技術(shù)引起了專家的注意，被認為“打破了美國的制裁”。

長鑫存儲的首次公開募股也傳出可能推遲的消息，估值約人民幣1,400億元，成為最新一家因市場波動而取消首次亮相的中國公司。這一系列的舉措顯示了中國企業(yè)在全球芯片制程領(lǐng)域的迅速崛起。

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