據(jù)韓媒Deal Site援引三星電子（Samsung Electronics）內(nèi)部消息人士透露，原定于2025年7月進(jìn)行的1c DRAM樣品生產(chǎn)測試可能因重新設(shè)計(jì)過程中遇到困難而推遲至2025年10月。目前良率狀況尚不明確，這一延遲可能進(jìn)一步影響三星計(jì)劃于2025年下半年量產(chǎn)基于1c DRAM的HBM4。
三星在推動(dòng)1c DRAM重新設(shè)計(jì)時(shí)，選擇部分放棄成本競爭力，轉(zhuǎn)而優(yōu)先確保良率。這一策略與過去注重生產(chǎn)效率的思路截然不同。此前，三星在引入極紫外光（EUV）微影設(shè)備時(shí)，更注重生產(chǎn)效率而非穩(wěn)定性。然而，從1z DRAM開始，電容器漏電問題逐漸顯現(xiàn)。三星通過增加電容器長度并減少厚度來提高生產(chǎn)效率，但這種設(shè)計(jì)也導(dǎo)致電容器存儲電流的空間減少，從而增加了穩(wěn)定性風(fēng)險(xiǎn)。
目前，三星正嘗試通過增加電容器厚度、降低高度等方式改善其結(jié)構(gòu)，但這一過程頗具挑戰(zhàn)。與此同時(shí)，三星擴(kuò)大了1c DRAM的芯片尺寸，以降低制造難度。芯片尺寸增大意味著電路繪制范圍更廣，從而減少電路間干擾，為重新設(shè)計(jì)提供更多便利。
此外，三星還減少了1c DRAM中EUV的使用層數(shù)，從最初的8~9層減少至6~7層，降幅約為30%。這一調(diào)整不僅旨在提升制程穩(wěn)定性，還試圖部分抵消因芯片尺寸擴(kuò)大而導(dǎo)致的成本競爭力下滑。然而，即便采取了這些措施，穩(wěn)定性仍未達(dá)到預(yù)期水平。
對于上述傳聞，三星相關(guān)人士回應(yīng)稱，1c DRAM的開發(fā)正按計(jì)劃順利推進(jìn)。不過，如果延遲傳聞屬實(shí)，三星與競爭對手的技術(shù)差距可能進(jìn)一步擴(kuò)大。

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