近日，稷以科技發(fā)布了一款自主研發(fā)的12寸IC前段工藝設備——JETKepler。這款設備主要用于晶圓刻蝕及高溫等離子表面氧化、氮化處理，適用于300mm IC制造領域。
據(jù)官方資料顯示，JETKepler具備多項運行特點。首先，該設備支持各向同性表面處理，包括氧化、氮化、還原、薄膜密度提升、刻蝕殘留去除以及降低IC電阻等功能。其次，JETKepler擁有極佳的臺階覆蓋率和溫度均勻性，確保工藝的高精度與一致性。此外，其高密度低損傷等離子系統(tǒng)能夠在保證效率的同時減少對材料的損害。設備還具備高產(chǎn)能和更長的平均保養(yǎng)周期（MTBC），從而降低整體擁有和運營成本（CoO/CoC）。
從技術(shù)參數(shù)來看，JETKepler支持12英寸晶圓處理，可應用于多種基底薄膜，如硅（Si）、氮化硅（SiN）、氧化硅（SiO2）、氮化鈦（TiN）和鎢（W）等。其主要應用領域涵蓋DRAM、NAND以及邏輯IC的氧化、氮化和還原工藝。

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