近日，稷以科技發布了一款自主研發的12寸IC前段工藝設備——JETKepler。這款設備主要用于晶圓刻蝕及高溫等離子表面氧化、氮化處理，適用于300mm IC制造領域。
據官方資料顯示，JETKepler具備多項運行特點。首先，該設備支持各向同性表面處理，包括氧化、氮化、還原、薄膜密度提升、刻蝕殘留去除以及降低IC電阻等功能。其次，JETKepler擁有極佳的臺階覆蓋率和溫度均勻性，確保工藝的高精度與一致性。此外，其高密度低損傷等離子系統能夠在保證效率的同時減少對材料的損害。設備還具備高產能和更長的平均保養周期（MTBC），從而降低整體擁有和運營成本（CoO/CoC）。
從技術參數來看，JETKepler支持12英寸晶圓處理，可應用于多種基底薄膜，如硅（Si）、氮化硅（SiN）、氧化硅（SiO2）、氮化鈦（TiN）和鎢（W）等。其主要應用領域涵蓋DRAM、NAND以及邏輯IC的氧化、氮化和還原工藝。

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