特朗普上任后,明確致力于復(fù)興美國本土制造業(yè),擁有高市占率與先進(jìn)技術(shù)的臺積電,成為其重點(diǎn)關(guān)注對象。近期業(yè)界傳言,特朗普政府計劃對韓國內(nèi)存產(chǎn)業(yè)施壓,意圖重塑全球內(nèi)存供應(yīng)鏈格局。
特朗普多次強(qiáng)調(diào)臺灣搶走美國芯片生意,不斷對臺積電施壓。業(yè)界分析,亞洲占據(jù)全球 80% 的半導(dǎo)體產(chǎn)能,臺灣在晶圓代工和封測領(lǐng)域全球領(lǐng)先,自然成為美國首要目標(biāo);韓國在內(nèi)存領(lǐng)域市占率超 70%,尤其在 HBM(高頻寬內(nèi)存)方面領(lǐng)先,所以美國若打壓韓國半導(dǎo)體也并非意外。
據(jù)悉,特朗普政府計劃對半導(dǎo)體征收超 25% 的關(guān)稅,這將對韓國內(nèi)存芯片行業(yè)產(chǎn)生重大影響。關(guān)稅將涵蓋內(nèi)存芯片和代工服務(wù),沖擊三星電子、SK 海力士等主要企業(yè),以及臺積電。內(nèi)存芯片屬批量生產(chǎn),對價格波動敏感;代工服務(wù)則依客戶規(guī)格定制,受成本變化影響相對小些。
為避關(guān)稅,企業(yè)需在美國生產(chǎn)半導(dǎo)體。但三星位于奧斯汀的工廠及泰勒在建工廠主要用于代工,并非內(nèi)存生產(chǎn);SK 海力士雖在美國建半導(dǎo)體后端加工廠,可在韓國生產(chǎn)后銷往美國的內(nèi)存芯片仍無法免關(guān)稅。雪上加霜的是,美光科技明年將在愛達(dá)荷州新工廠投產(chǎn)內(nèi)存芯片。盡管三星和 SK 海力士在尋找對策,但業(yè)內(nèi)認(rèn)為可行方案有限。
美國政府尚未明確受關(guān)稅影響的國家和半導(dǎo)體產(chǎn)品范圍。若措施類似特朗普對鋼鐵和鋁的關(guān)稅政策,韓國可能遭受重創(chuàng)。去年,韓國向美國出口 15.4 萬億韓元(107 億美元)半導(dǎo)體,其中存儲芯片占 79%。三星和 SK 海力士在韓國和中國生產(chǎn) DRAM 和 NAND 閃存,近 70% 產(chǎn)量來自韓國工廠。
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