快科技6月17日消息,據(jù)媒體報(bào)道,英偉達(dá)已選定美光科技作為其下一代內(nèi)存解決方案SOCAMM的首家供應(yīng)商。
SOCAMM(小型壓縮附加內(nèi)存模塊)是一種專為數(shù)據(jù)中心AI服務(wù)器設(shè)計(jì)的新型高性能、低功耗內(nèi)存。該技術(shù)因在AI加速中的關(guān)鍵作用而被部分業(yè)界人士視為“第二代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)”。
英偉達(dá)此前委托三星電子、美光等內(nèi)存制造商開發(fā)SOCAMM原型。憑借在低功耗DRAM性能上的優(yōu)勢(shì),美光率先獲得英偉達(dá)的量產(chǎn)批準(zhǔn),超越了規(guī)模更大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星。目前,三星等韓國內(nèi)存供應(yīng)商雖已開發(fā)出SOCAMM芯片,但尚未獲得英偉達(dá)認(rèn)證。
與垂直堆疊并與GPU緊密集成的HBM不同,SOCAMM主要支持中央處理器(CPU),在優(yōu)化AI工作負(fù)載方面扮演關(guān)鍵的支撐角色。
首批SOCAMM模塊基于堆疊式LPDDR5X芯片,由英偉達(dá)設(shè)計(jì),將應(yīng)用于其計(jì)劃于2026年發(fā)布的下一代AI加速器平臺(tái)Rubin。
SOCAMM采用引線鍵合和銅互連技術(shù),每個(gè)模塊連接16個(gè)DRAM芯片——這與HBM使用的硅通孔技術(shù)形成鮮明對(duì)比。銅互連結(jié)構(gòu)顯著增強(qiáng)了散熱性能,這對(duì)AI系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行和可靠性至關(guān)重要。
美光宣稱其新LPDDR5X芯片能效比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手高出20%,這是其贏得英偉達(dá)訂單的關(guān)鍵因素。考慮到每臺(tái)AI服務(wù)器將搭載四個(gè)SOCAMM模塊(總計(jì)256個(gè)DRAM芯片),散熱效率的重要性尤為突出。
分析師認(rèn)為,SOCAMM的可擴(kuò)展性意味著它未來可能應(yīng)用于更廣泛的英偉達(dá)產(chǎn)品線,包括其即將推出的個(gè)人超級(jí)計(jì)算機(jī)項(xiàng)目DIGITS。
美光在低發(fā)熱量?jī)?nèi)存技術(shù)上的突破,也有望提升其在競(jìng)爭(zhēng)激烈的HBM領(lǐng)域的地位。隨著行業(yè)向需要堆疊12層甚至16層DRAM的HBM4邁進(jìn),熱管理已成為關(guān)鍵的差異化因素。
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