ictimes消息,三星電子,一直致力于在半導體存儲設備領域保持領先地位,近期更是加快了下一代存儲器技術“計算快速鏈接”(CXL)的開發和量產。這一舉措無疑是為了在市場上占據主導地位,進一步鞏固其行業領先地位。
據專利檢索系統KIPRIS顯示,三星電子于12月4日同時申請了三星CMM-D、三星CMM-DC、三星CMM-H、三星CMM-HC4個商標。這些商標專用于半導體存儲設備、集成電路和數據存儲設備。CMM,全稱為CXL Memory Module,是國際半導體標準化組織JEDEC在CXL基礎上制定的存儲器規范。在三星電子內部,CXL通常被稱為CMM。
業界普遍認為,在處理數據量呈指數級增長的人工智能時代,CXL是克服現有DRAM局限性的關鍵解決方案。CXL的市場潛力巨大。市場研究公司Yole Group預測,到2028年,全球CXL市場將達到150億美元。
三星電子在2021年5月成功開發出世界上第一個基于CXL的DRAM技術,并在去年推出了業界首個高容量512 GB CXL DRAM。今年5月,他們又成功開發出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM,并計劃在年內實現量產。
三星電子的這一系列動作表明,他們正在積極布局下一代存儲器技術市場,以保持其在半導體存儲設備領域的領先地位。未來,我們期待三星電子能夠繼續推出更多創新產品,為全球半導體行業的發展做出更大的貢獻。
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