譽鴻錦半導體近日宣布,其位于江西省撫州市高新技術產(chǎn)業(yè)區(qū)的二期產(chǎn)業(yè)園項目已成功舉行主體結構封頂儀式,標志著該公司氮化鎵Super IDM全產(chǎn)業(yè)鏈的布局和建設取得了重大進展。
譽鴻錦半導體是江西譽鴻錦芯片科技有限公司投資興建的產(chǎn)業(yè)園項目,項目以氮化鎵芯片的研發(fā)與制造為核心,涵蓋半導體產(chǎn)業(yè)鏈上游的設備材料到下游的終端應用,全面打造Super IDM產(chǎn)業(yè)集群。該項目位于江西省撫州市高新技術產(chǎn)業(yè)區(qū),總建筑面積達到約26.2萬平方米,預計首條批量生產(chǎn)線將于2024年底前建成,月產(chǎn)能達到6-7萬片。當項目全部建成投產(chǎn)后,每月產(chǎn)能將擴大至25萬片,使其成為全球最大的氮化鎵IDM工廠。
在項目建設方面,譽鴻錦半導體將廣泛應用自研和國產(chǎn)半導體設備,包括MOCVD、蝕刻機等關鍵設備。據(jù)悉,譽鴻錦自研的MOCVD設備已經(jīng)成功上線并進入最后的調試階段。通過中試線的成熟生產(chǎn)工藝調整,預計后續(xù)建設、調試和量產(chǎn)將以極快的速度進行,有望大幅度降低生產(chǎn)成本、提高效率。此外,譽鴻錦還計劃引入十多臺光刻機,將陸續(xù)在未來兩年交付,并全部應用于二期產(chǎn)業(yè)園的生產(chǎn)線。
譽鴻錦半導體的二期產(chǎn)業(yè)園項目將為中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的活力,不僅有望提升國內氮化鎵芯片的生產(chǎn)能力,還將加速本土半導體產(chǎn)業(yè)鏈的完善。這一進展對于推動中國在半導體領域的自主創(chuàng)新和全球競爭力的提升具有積極的意義。
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