JEDEC（固態技術協會）近日正式發布了JESD270-4 HBM4高速存儲器標準。這一新標準專為人工智能（AI）、高性能計算（HPC）以及高級數據中心環境量身打造，旨在應對數據密集型應用快速發展的需求。新標準通過架構改進和接口升級，顯著提升了內存帶寬、容量和效率，為行業提供了更具競爭力的解決方案。
HBM4延續了HBM系列標志性的垂直堆疊DRAM芯片設計，同時在多個方面進行了優化。與前代HBM3相比，HBM4將每個堆棧的獨立通道數量從16個增加到32個，性能得到顯著提升。此外，HBM4通過2048bit接口實現了高達8Gb/s的傳輸速度，并引入了兩個偽通道設計，使總帶寬達到2TB/s。這一改進為設計人員提供了更高的靈活性，支持訪問4層、8層、12層和16層DRAM芯片堆棧，芯片密度可達24Gbit或32Gbit，最大存儲容量提升至64GB。
在能效方面，HBM4支持多種供應商特定的電壓電平，包括0.7V、0.75V、0.8V或0.9V的VDDQ（數據輸出緩沖器電壓）選項，以及1.0V或1.05V的VDDC（核心電壓）選項。這些調整優化了功耗表現，同時提升了不同系統需求下的能效水平。此外，HBM4保持與現有HBM3控制器的兼容性，使單個控制器能夠同時支持兩種內存標準，從而簡化了系統設計和升級流程。
HBM4還引入了定向刷新管理（DRFM）技術，增強了行錘緩解能力，并進一步強化了可靠性、可用性和可維護性（RAS）功能。與此同時，HBM4對架構進行了顯著調整，將命令總線和數據總線分離，以增強并發性并降低延遲。這一改進特別適用于AI和HPC工作負載中常見的多通道操作。此外，HBM4采用了全新的物理接口和信號完整性優化設計，支持更快的數據速率和更高的通道效率。
據透露，HBM4標準的制定得到了三星、美光和SK海力士等主要行業參與者的大力支持。這些公司預計將在未來幾年內推出兼容HBM4的產品。三星已宣布計劃于2025年開始量產，以滿足AI芯片制造商和超大規模計算廠商不斷增長的需求。

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