據(jù)Tom's Hardware報(bào)道，國(guó)際半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC近日正式發(fā)布了HBM4高帶寬存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)。這一新標(biāo)準(zhǔn)旨在滿(mǎn)足人工智能（AI）、高效能運(yùn)算（HPC）以及數(shù)據(jù)中心應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)器性能的快速增長(zhǎng)需求。
HBM4在HBM3的基礎(chǔ)上進(jìn)行了多項(xiàng)優(yōu)化升級(jí)。其界面帶寬提升至2,048位元，傳輸速率達(dá)到每秒8Gb，總帶寬最高可達(dá)每秒2TB。同時(shí)，堆疊層內(nèi)的獨(dú)立通道數(shù)量從16個(gè)增加到32個(gè)，每個(gè)通道還包含兩個(gè)偽通道，顯著提升了數(shù)據(jù)存取的靈活性和多任務(wù)并行能力。
在能耗方面，HBM4支持多種供應(yīng)商自定義電壓選項(xiàng)，包括0.7V至0.9V的VDDQ以及1.0V或1.05V的VDDC，能夠根據(jù)不同系統(tǒng)需求降低功耗，提高能效表現(xiàn)。此外，HBM4兼容現(xiàn)有的HBM3控制器，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)和部署提供了更高靈活性。
HBM4還引入了定向刷新管理（DRFM）功能，增強(qiáng)了對(duì)Rowhammer攻擊的防護(hù)能力，并提升了存儲(chǔ)器的可靠性、可用性和可維修性（RAS）。在容量支持上，HBM4可支持4層至16層堆疊，單顆晶粒密度為24Gb或32Gb，單一結(jié)構(gòu)最高容量可達(dá)64GB，滿(mǎn)足了AI與HPC應(yīng)用對(duì)高密度存儲(chǔ)的需求。
架構(gòu)層面，HBM4分離了指令與數(shù)據(jù)匯流排，進(jìn)一步提升了并行性并降低了延遲，優(yōu)化了多通道運(yùn)算性能。同時(shí)，全新設(shè)計(jì)的物理界面和信號(hào)完整性方案，也為更高傳輸速率和通道效率提供了保障。
HBM4由三星電子、美光和SK海力士等存儲(chǔ)器巨頭聯(lián)合設(shè)計(jì)。三星已宣布計(jì)劃在2025年量產(chǎn)HBM4產(chǎn)品，以滿(mǎn)足AI芯片和云端運(yùn)算領(lǐng)域?qū)Ω咝阅艽鎯?chǔ)器的強(qiáng)勁需求。

本文鏈接：http://www.tebozhan.com/showinfo-27-145626-0.htmlJEDEC發(fā)布HBM4標(biāo)準(zhǔn)：AI與HPC存儲(chǔ)器新突破

聲明：本網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容旨在傳播知識(shí)，若有侵權(quán)等問(wèn)題請(qǐng)及時(shí)與本網(wǎng)聯(lián)系，我們將在第一時(shí)間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com

上一篇： 川普表態(tài)：不打算再對(duì)中國(guó)加征關(guān)稅，暗示可能下調(diào)

下一篇： 美光重組四大事業(yè)部門(mén)，聚焦AI與HBM市場(chǎng)發(fā)展