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中企沖刺HBM，韓國擔憂復刻“LCD”逆襲

來源：icspec 責編： 時間：2025-04-12 10:39:58 26觀看
導讀近日，有消息傳出，國內已將目光瞄準高帶寬存儲器（HBM）領域。長鑫存儲計劃在2026年量產HBM3，隨后于2027年生產HBM3E；而以生產NAND Flash為主的長江存儲，也準備通過子公司進軍HBM市場。這預示著在不久的將來，中國企業將與三星電

近日，有消息傳出，國內已將目光瞄準高帶寬存儲器（HBM）領域。

長鑫存儲計劃在2026年量產HBM3，隨后于2027年生產HBM3E；而以生產NAND Flash為主的長江存儲，也準備通過子公司進軍HBM市場。這預示著在不久的將來，中國企業將與三星電子、SK海力士等巨頭正面交鋒。

傳韓國業界憂心，HBM可能重演LCD夢靨。長鑫存儲
圖源：長鑫存儲

據韓媒Newdaily援引業界消息，長鑫存儲目前正全力投入HBM3的開發工作。中國在存儲器領域的快速發展，尤其是在HBM方面的發力，讓韓國部分人士擔憂，當年LCD產業被中國趕超的局面是否會在存儲器領域重演。

韓國業界預測，中國存儲器企業將在兩年內量產第五代HBM3E產品。

相關數據顯示，2024年三星和SK海力士的DDR4市場占比約為30%，但到2025年這一比例已迅速降至個位數，不少企業計劃在2025年底前停止DDR4生產。這意味著在短短一兩年間，中國在DDR4市場已成功搶占先機。

隨著AI市場的迅速擴張，三星和SK海力士等韓企將重點轉向HBM等高附加值的高性能存儲器，試圖以此作為新的利潤增長點。但如今，中國企業也加快腳步進入HBM市場，這無疑加劇了韓國半導體企業的危機感。

韓國現代汽車證券報告指出，中國DRAM企業正在開發HBM3和HBM2E，預計未來兩到三年內，中國生產的HBM有望應用于華為昇騰系列產品。目前，長鑫存儲是國內為數不多具備HBM生產潛力的企業，不過也有觀察人士認為，以生產NAND為主的長江存儲可能通過子公司武漢新芯加速進入HBM市場，因為武漢新芯據傳擁有HBM量產所需的矽穿孔（TSV）設備，有望借助這些設備開展HBM的生產研發工作。



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