4月2日，創(chuàng)意電子宣布成功完成HBM4控制器與PHY IP的投片，成為全球首家達(dá)成此成就的公司。據(jù)官方數(shù)據(jù)，該IP支持高達(dá)12Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，并在所有sign-off PVT條件下保持高總線利用率。創(chuàng)意電子采用臺(tái)積電最先進(jìn)的N3P制程技術(shù)，并結(jié)合CoWoS?-R先進(jìn)封裝技術(shù)。
HBM4 IP在設(shè)計(jì)上具備多項(xiàng)亮點(diǎn)，包括創(chuàng)新的中介層布局設(shè)計(jì)，確保在各類CoWoS技術(shù)下實(shí)現(xiàn)最佳信號(hào)完整性（SI）與電源完整性（PI）。此外，HBM4 PHY相比HBM3實(shí)現(xiàn)了2.5倍的帶寬提升，功耗效率提升1.5倍，面積效率提升2倍。內(nèi)建的實(shí)時(shí)I/O及clock能效監(jiān)測(cè)電路由proteanTeds提供，進(jìn)一步增強(qiáng)了其性能表現(xiàn)。
創(chuàng)意電子總經(jīng)理戴尚義表示，公司通過整合HBM4、UCIe-A與UCIe-3D IP，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供全面性解決方案，以滿足市場(chǎng)對(duì)高性能內(nèi)存的持續(xù)需求。隨著AI大模型訓(xùn)練、數(shù)據(jù)中心加速等應(yīng)用快速發(fā)展，HBM技術(shù)成為解決“內(nèi)存墻”瓶頸的關(guān)鍵。據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2024年HBM需求位元年成長(zhǎng)率接近200%，2025年將再翻倍。
HBM4的研發(fā)涉及代工廠、存儲(chǔ)廠商與IP設(shè)計(jì)公司的緊密合作。創(chuàng)意電子基于臺(tái)積電N3P制程技術(shù)打造的HBM4 IP，性能與能效相比N3E進(jìn)一步優(yōu)化。CoWoS-R封裝技術(shù)已被廣泛應(yīng)用于高端GPU與AI芯片，如NVIDIA的H100/B100及AMD的Instinct MI300系列。目前，Synopsys、Cadence等EDA廠商已推出HBM4 IP驗(yàn)證工具，但完整方案仍由少數(shù)廠商提供。存儲(chǔ)廠商如SK海力士與三星計(jì)劃在2026年量產(chǎn)HBM4芯片，創(chuàng)意電子此次投片標(biāo)志著IP設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的提前就緒。

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