據(jù)韓媒報道,三星電子計劃在2025年完成最新一代3D NAND V10的量產(chǎn)準(zhǔn)備,并首次引入東京威力科創(chuàng)(TEL)的極低溫蝕刻設(shè)備。
此前,三星在V8和V9的先進(jìn)極低溫蝕刻制程中僅使用美國科林研發(fā)的設(shè)備。
極低溫蝕刻是在零下30度至零下60~70度的環(huán)境下進(jìn)行,相比傳統(tǒng)蝕刻更加精準(zhǔn),速度也可提升至原本的3倍。隨著TEL進(jìn)入三星供應(yīng)鏈,科林研發(fā)的獨占地位將受影響。
自2024年起,三星已在平澤第三工廠的NAND產(chǎn)線導(dǎo)入TEL的極低溫蝕刻設(shè)備進(jìn)行V10與V11的量產(chǎn)測試。此舉旨在降低對科林研發(fā)的依賴,降低成本并穩(wěn)定先進(jìn)制程設(shè)備供應(yīng)鏈。
對于存儲器業(yè)者而言,過度依賴特定設(shè)備供應(yīng)商存在負(fù)擔(dān)與風(fēng)險。TEL若能提供所需技術(shù),將有助于三星降低成本并穩(wěn)定設(shè)備供應(yīng)鏈。
三星在NAND市場競爭激烈,此次策略調(diào)整顯示出其不想讓出主導(dǎo)權(quán)的決心。
本文鏈接:http://www.tebozhan.com/showinfo-27-135718-0.html三星將引入TEL極低溫蝕刻設(shè)備,速度可提升3倍
聲明:本網(wǎng)頁內(nèi)容旨在傳播知識,若有侵權(quán)等問題請及時與本網(wǎng)聯(lián)系,我們將在第一時間刪除處理。郵件:2376512515@qq.com