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三星將引入TEL極低溫蝕刻設備,速度可提升3倍

來源: 責編: 時間:2025-03-04 15:12:49 67觀看
導讀據韓媒報道,三星電子計劃在2025年完成最新一代3D NAND V10的量產準備,并首次引入東京威力科創(TEL)的極低溫蝕刻設備。此前,三星在V8和V9的先進極低溫蝕刻制程中僅使用美國科林研發的設備。極低溫蝕刻是在零下30度至零下60

據韓媒報道,三星電子計劃在2025年完成最新一代3D NAND V10的量產準備,并首次引入東京威力科創(TEL)的極低溫蝕刻設備。
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此前,三星在V8和V9的先進極低溫蝕刻制程中僅使用美國科林研發的設備。9cy28資訊網——每日最新資訊28at.com


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極低溫蝕刻是在零下30度至零下60~70度的環境下進行,相比傳統蝕刻更加精準,速度也可提升至原本的3倍。隨著TEL進入三星供應鏈,科林研發的獨占地位將受影響。9cy28資訊網——每日最新資訊28at.com


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自2024年起,三星已在平澤第三工廠的NAND產線導入TEL的極低溫蝕刻設備進行V10與V11的量產測試。此舉旨在降低對科林研發的依賴,降低成本并穩定先進制程設備供應鏈。9cy28資訊網——每日最新資訊28at.com


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對于存儲器業者而言,過度依賴特定設備供應商存在負擔與風險。TEL若能提供所需技術,將有助于三星降低成本并穩定設備供應鏈。9cy28資訊網——每日最新資訊28at.com


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三星在NAND市場競爭激烈,此次策略調整顯示出其不想讓出主導權的決心。9cy28資訊網——每日最新資訊28at.com


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