日本鎧俠控股于2月20日宣布成功開發出第10代NAND存儲器。這款新產品在性能上實現了重大突破,引起了行業內外的廣泛關注。
鎧俠第10代NAND存儲器的層數達到了332層,相較于第8代的218層有了顯著增加。這一提升直接帶來了存儲容量的大幅提升,單位面積的存儲容量提高了59%,能夠滿足日益增長的大數據存儲需求。在數據傳輸速度方面,第10代NAND存儲器實現了33%的提升,讀取數據時的電力效率也得到了明顯改善。
此外,在輸入數據時,電力效率提高了10%,輸出時提高了34%。這些改進對于追求高效能與低功耗的數據中心,尤其是面向人工智能(AI)的數據中心而言,具有極大的吸引力,預計將獲得大量需求。
在發布會上,鎧俠不僅宣布了第10代產品的開發成果,還透露正在開發第9代產品。第9代產品采用了獨特的技術組合,存儲元件的性能沿用現有技術,而讀寫性能則采用新一代技術。這種兩代產品并行開發的策略,體現了鎧俠對市場的精準把握。第10代產品憑借其卓越的性能,滿足高端市場對高性能存儲產品的需求;第9代產品則以更具性價比的優勢,覆蓋更廣泛的市場,滿足不同客戶群體的需求。
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