印度信息技術部長阿什維尼·瓦伊什納近日透露，首款“印度制造”芯片有望于今年9月或10月亮相，同時，印度也在加緊研發氮化鎵芯片。HPn28資訊網——每日最新資訊28at.com

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印度政府已向位于班加羅爾的科學研究所（IISc）撥款33.4億盧比（約合2.8億人民幣），用于氮化鎵技術的研發，主要應用于電信和電力領域。IISc的一組跨學科教員已成功研發出印度首個電子模式氮化鎵功率晶體管，其性能達到高標準，為氮化鎵技術的產業化應用奠定了堅實基礎。HPn28資訊網——每日最新資訊28at.com

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今年1月，印度首個碳化硅半導體工廠在奧里薩邦正式奠基，預計三年內完成建設。該工廠將專注于生產碳化硅等產品，以滿足電力電子、可再生能源系統以及電動汽車的需求。該項目由RIR Power Electronics Limited公司打造，總投資額達62億盧比（約合25億元人民幣）。HPn28資訊網——每日最新資訊28at.com

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此外，印度國防研究與發展組織（DRDO）下屬的固體物理實驗室也在第三代半導體領域取得了重要突破。該實驗室成功開發出一種本土工藝，可以生長和制造直徑為4英寸的碳化硅晶片。此外，他們還制造出功率高達150W的氮化鎵HEMT以及功率為40W的單片微波集成電路（MMIC），這些器件能夠在最高X波段頻率的應用中發揮重要作用。HPn28資訊網——每日最新資訊28at.com

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