10 月 26 日消息,德州儀器 TI 本月 24 日宣布,其位于日本會津的工廠已開始生產基于氮化鎵 GaN 材料的功率半導體產品,這也意味著德州儀器的整體 GaN 功率半導體產能升至以往四倍。
德州儀器技術和制造高級副總裁 Mohammad Yunus 表示:
憑借十多年來在氮化鎵芯片設計和制造方面的專業知識,我們已成功驗證了我們的 200mm(IT酷哥注:即 8 英寸)氮化鎵技術 —— 當今最具可擴展性和成本競爭力的 GaN 制造方法 —— 并在會津開始量產。
這一里程碑使我們能夠在內部制造更多的 GaN 芯片,到 2030 年,我們的內部制造率將達到 95% 以上,同時還可以從德州儀器的多個地點采購,確保我們整個 GaN 高功率、高能效半導體產品組合的可靠供應。
會津GaN 功率半導體生產線的投入量產也意味著德州儀器可將其 GaN 器件擴展到 900V 乃至更高的電壓,開創更為廣闊的應用場景;此外德州儀器今年早些時候成功進行了 300mm(12 英寸)晶圓 GaN 制造工藝的試點。
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