2月5日消息，三星在固態(tài)電路技術(shù)的前沿再次邁出堅(jiān)定步伐。據(jù)悉，三星計(jì)劃在即將到來(lái)的2024年IEEE國(guó)際固態(tài)電路峰會(huì)上，向全球展示其多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品，其中不乏此前已引發(fā)業(yè)內(nèi)關(guān)注的GDDR7內(nèi)存。JwB28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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除了GDDR7外，三星還將帶來(lái)一款突破性的DDR5內(nèi)存芯片。這款芯片采用了先進(jìn)的12納米級(jí)工藝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了在相同封裝尺寸下，容量達(dá)到16Gb DDR5DRAM的兩倍，即32Gb。這一創(chuàng)新不僅優(yōu)化了內(nèi)存結(jié)構(gòu)，更預(yù)示著未來(lái)內(nèi)存技術(shù)的新方向。JwB28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

據(jù)ITBEAR科技資訊了解，這款DDR5內(nèi)存的I/O速度令人印象深刻，每個(gè)引腳高達(dá)8000Mbps。其設(shè)計(jì)基于三星第五代10nm級(jí)晶圓代工節(jié)點(diǎn)的Symmetric-Mosaic架構(gòu)，這一架構(gòu)是專門(mén)為DRAM產(chǎn)品量身定制的，以優(yōu)化性能和效率。JwB28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

三星電子內(nèi)存產(chǎn)品和技術(shù)執(zhí)行副總裁SangJoon Hwang在談及這款新產(chǎn)品時(shí)表示：“通過(guò)我們的12nm級(jí)32Gb DRAM，我們已經(jīng)找到了實(shí)現(xiàn)高達(dá)1TBDRAM模塊的解決方案。這使我們能夠滿足人工智能和大數(shù)據(jù)時(shí)代對(duì)高容量DRAM的迫切需求。我們將繼續(xù)推動(dòng)工藝和設(shè)計(jì)技術(shù)的創(chuàng)新，以突破內(nèi)存技術(shù)的極限。”JwB28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

以往使用16Gb DRAM制造的DDR5 128GB模塊需要依賴硅通孔(TSV)工藝。然而，三星的新32GbDRAM無(wú)需TSV工藝即可生產(chǎn)128GB模塊，這不僅簡(jiǎn)化了生產(chǎn)過(guò)程，更使得功耗降低了約10%。對(duì)于正在努力應(yīng)對(duì)人工智能不斷增長(zhǎng)能源需求的數(shù)據(jù)中心來(lái)說(shuō)，這無(wú)疑是一個(gè)重要的進(jìn)步。JwB28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

此外，三星的最新DDR5技術(shù)還支持在單通道配置下以DDR5-8000速度構(gòu)建32GB和48GB DIMM，同時(shí)在雙通道配置下支持64GB和96GBDIMM。這一靈活性使得該技術(shù)能夠適應(yīng)多種不同的應(yīng)用場(chǎng)景和需求。JwB28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com