7月安卓手機(jī)性能榜：紅魔8S Pro再奪榜首
7月份的手機(jī)市場(chǎng)風(fēng)平浪靜，除了紅魔和努比亞帶來了兩款搭載驍龍8Gen2領(lǐng)先版處理器的新機(jī)之外，別的也想不到有什么新品了，這也正常，通常6月7月都是手機(jī)廠商修整的時(shí)間，進(jìn)入8月份之
在半導(dǎo)體領(lǐng)域，牛津儀器（Oxford Instruments）日前宣布其旗下用于GaN HEMT器件生產(chǎn)的等離子原子層沉積（ALD）和原子層蝕刻（ALE）設(shè)備已贏得多家日本代工廠的大量訂單，標(biāo)志著GaN技術(shù)迎來了一次新的突破。
這一系列設(shè)備將為GaN電力電子和射頻市場(chǎng)提供支持，特別是在消費(fèi)類快速充電和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用方面。Oxford Instruments的ALD技術(shù)以高通量、低損傷的等離子處理而著稱，主要服務(wù)于GaN HEMT器件制造商。
該公司的p-GaN HEMT的ALE解決方案已通過生產(chǎn)認(rèn)證，利用Etchpoint技術(shù)實(shí)現(xiàn)低損傷蝕刻，提高器件可靠性。這一技術(shù)不僅可自動(dòng)切換處理模式，還能以高精度實(shí)現(xiàn)AlGaN凹槽蝕刻，為下一代GaN MISHEMT E-mode器件功能打下基礎(chǔ)。
據(jù)牛津儀器GaN產(chǎn)品經(jīng)理Aileen O’Mahony透露，ALD設(shè)備的應(yīng)用使得GaN HEMT產(chǎn)量在日本電力電子和射頻市場(chǎng)大幅提升，為公司帶來豐厚回報(bào)。該公司致力于提供完整的GaN HEMT解決方案，提高設(shè)備產(chǎn)量、可靠性和正常運(yùn)行時(shí)間。
GaN作為第三代半導(dǎo)體材料，表現(xiàn)出色，尤其在電力電子和射頻通信領(lǐng)域。據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)估，全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將在未來數(shù)年內(nèi)迎來快速增長(zhǎng)。牛津儀器的ALD設(shè)備將為高性能、高可靠性和高效率的GaN功率器件的實(shí)現(xiàn)提供強(qiáng)有力的支持，推動(dòng)GaN技術(shù)在電力電子和射頻通信領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。
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