一篇聊聊Go錯誤封裝機制
%w 是用于錯誤包裝（Error Wrapping）的格式化動詞。它是用于 fmt.Errorf 和 fmt.Sprintf 函數中的一個特殊格式化動詞，用于將一個錯誤（或其他可打印的值）包裝在一個新的錯誤中。使
作為全球第四大功率半導體領域的日本三菱電機（Mitsubishi Electric），近日在第三類半導體碳化矽（SiC）領域進行了三箭齊發的布局。據法新社報道，三菱電機的三大布局重點包括擴大自身、鞏固料源以及簽定出海口，這一系列舉措堪稱一氣呵成。
首先，三菱電機在3月份進行了大筆投資，自力建設SiC晶圓產線，以提升自身在SiC領域的生產能力。這一步棋被視為三菱電機在SiC領域的開篇布局。
其次，10月份，三菱電機完成了對上游SiC硅片廠美國Coherent的入股，通過股權投資的方式進一步鞏固了自身在SiC產業鏈上的地位。這一舉措使得三菱電機能夠更好地掌握SiC硅片的供應，從而保證其在SiC領域的穩定發展。
最后，11月份，三菱電機與安世半導體（Nexperia）簽定了SiC金屬氧化物半導體場效晶體管（MOSFET）的供貨合約。這一合作為三菱電機打開了SiC MOSFET芯片的供應渠道，同時也為安世半導體提供了有效的SiC分立元件開發途徑。
此外，三菱電機還采取了一系列措施以籌建SiC功率半導體廠所需的資金，包括日前與安世建立戰略性合作，提供后者SiC MOSFET芯片；同時，三菱電機也將發行綠色債券，以籌集資金。
在此之前，三菱電機還與日系車用一級供應商電裝（Denso）共同投資10億美元，取得了美國SiC基板廠Coherent的25%股權。此舉主要是為了確保SiC料源的穩定供應。
10月底，三菱電機指出國際電工委員會（IEC）提議建立功率半導體通用標準。這一提議主要是因為隨著再生能源及純電動車的電力轉換裝置需求的日益增長，如果沒有完善的國際標準，將存在不良流通的風險。
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