近日,第三類半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)的老字號(hào)廠商Transphorm在2023年第3季財(cái)報(bào)會(huì)議上釋放了一個(gè)敏感信號(hào)——公司考慮進(jìn)行整并或出售。這一表態(tài)無疑給市場(chǎng)帶來了一定的震動(dòng)。
據(jù)Transphorm的首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人Primit Parikh表示,公司正在系統(tǒng)性地尋求和評(píng)估各種策略,其中包括整并或出售公司。這一決定無疑引發(fā)了市場(chǎng)的廣泛關(guān)注和猜測(cè)。
需要指出的是,Transphorm在2021年全球氮化鎵的營(yíng)收中排名第六。而臺(tái)灣的中美晶集團(tuán)在這一年連續(xù)兩次投資Transphorm,首次投資500萬美元,取得普通股;接著又斥資1500萬美元,參與其私募,成為Transphorm的股東和策略合作伙伴。
在當(dāng)時(shí),Transphorm是少數(shù)具有垂直整合能力的GaN制造商,擁有場(chǎng)效晶體管(FET)設(shè)計(jì)、磊晶制程及上游材料設(shè)計(jì)與元件制造等相關(guān)先進(jìn)技術(shù)。而中美晶集團(tuán)除環(huán)球晶投入GaN基板、旗下宏捷科則計(jì)劃投入GaN晶圓制造。兩者在GaN領(lǐng)域具有很強(qiáng)的互補(bǔ)性。
近幾年,中美晶集團(tuán)在矽基(Si)、第三類半導(dǎo)體布局方面可謂是火力全開。環(huán)球晶作為全球第三大Si硅片廠,即使在半導(dǎo)體市場(chǎng)不景氣的情況下,也因?yàn)殚L(zhǎng)期合約(LTA)的保障而受影響有限。而在第三類半導(dǎo)體方面,環(huán)球晶每年的資本支出都呈現(xiàn)數(shù)倍的增長(zhǎng)。
供應(yīng)鏈業(yè)者指出,SiC在高電壓、大電流場(chǎng)景展現(xiàn)最佳效益,目前GaN雖無法在該領(lǐng)域與SiC競(jìng)爭(zhēng)、但仍優(yōu)于Si。另外,GaN在高頻(RF)領(lǐng)域則展現(xiàn)出其他兩個(gè)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手無法超越的優(yōu)勢(shì)。這也是為什么近幾年GaN在3C快充頭取代Si打下了漂亮的一仗,并積極向變壓器、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心設(shè)施電源系統(tǒng)、再生能源、電動(dòng)汽車、5G和多種通訊基礎(chǔ)設(shè)施的RF GaN電子設(shè)備滲透。
如果從Si硅片的排名來看,龍頭信越、及二哥Sumco在第三類半導(dǎo)體的著墨相對(duì)有限。而環(huán)球晶則是各類半導(dǎo)體布局最為齊全的代表。這也就意味著,一旦Transphorm的整并或出售計(jì)劃塵埃落定,環(huán)球晶在這方面的布局可能會(huì)更加全面。
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