據Tom's Hardware和Wccftech報道，英特爾（Intel）計劃在2025年6月的VLSI Symposium論壇上，正式公布其1.8納米制程節(jié)點Intel 18A的技術細節(jié)。該制程將首次整合RibbonFET環(huán)繞柵極晶體管（GAA）與PowerVia背面供電技術，顯著提升芯片的性能、效率和密度（PPA）。
Intel 18A制程預計將在2025年下半年應用于Panther Lake處理器，并于2026年擴展至Clearwater Forest服務器芯片。數據顯示，相較于英特爾的3納米制程，在1.1V電壓條件下，Intel 18A在標準ARM核心子區(qū)塊中可提升25%的性能，同時降低36%的功耗；在0.75V電壓條件下，性能提升18%，功耗降低38%。整體而言，其每瓦性能提升約15%，芯片密度可提高30%。
在設計層面，Intel 18A提供高效能（HP）和高密度（HD）兩種標準單元庫，垂直尺寸分別減少至180CH和160CH，較之前縮減25%。采用背面供電架構后，電源線路從芯片正面移除，為信號布線騰出更多空間，進一步優(yōu)化面積利用率與功耗效率。此外，PowerVia技術還改善了高效能運行下的電力穩(wěn)定性。
與此同時，臺積電預計在2025年推出2納米N2制程，幾乎覆蓋所有主要芯片設計客戶。然而，英特爾仍將Intel 18A視為其晶圓代工業(yè)務的重要轉折點。隨著Intel 18A在2025年下半年進入量產，這將是英特爾能否重返先進制程領先地位的關鍵所在。

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