據(jù)韓媒ChosunBiz援引業(yè)界消息，三星電子晶圓代工事業(yè)部在第六代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM4）邏輯晶粒的測(cè)試生產(chǎn)中，取得了超過(guò)40%的良率。這一成果被認(rèn)為具有重要意義，尤其是在三星正努力追趕競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的背景下。
業(yè)內(nèi)人士指出，初期測(cè)試生產(chǎn)良率超過(guò)40%已屬不俗成績(jī)。相比之下，采用4納米制程的百度芯片在初期測(cè)試生產(chǎn)時(shí)，良率僅約15%。三星半導(dǎo)體暨裝置解決方案（DS）部門(mén)負(fù)責(zé)人全永鉉對(duì)這一進(jìn)展表示認(rèn)可，并鼓勵(lì)團(tuán)隊(duì)繼續(xù)優(yōu)化生產(chǎn)效率。此次生產(chǎn)過(guò)程中，三星大量引入了新工藝以提升效率。
目前，在第五代HBM3E市場(chǎng)上，三星的主導(dǎo)地位已被SK海力士和美光取代。然而，三星正全力投入HBM4邏輯晶粒的生產(chǎn)。這種邏輯晶粒采用先進(jìn)制程，不僅性能更強(qiáng)，還能滿足全球大型IT企業(yè)的定制化需求。與SK海力士和美光依賴臺(tái)積電不同，三星憑借自有晶圓代工技術(shù)占據(jù)一定優(yōu)勢(shì)。
三星HBM4的成功與否，很大程度上取決于其存儲(chǔ)器事業(yè)部開(kāi)發(fā)的10納米級(jí)第六代1c DRAM。HBM4產(chǎn)品將由12層堆疊的邏輯晶粒和1c DRAM組成。如果三星能夠穩(wěn)定量產(chǎn)1c DRAM，將有望在性能上超越SK海力士的前一代1b DRAM產(chǎn)品。
封裝技術(shù)是另一大關(guān)鍵挑戰(zhàn)。三星采用了一種名為先進(jìn)非導(dǎo)電薄膜熱壓縮（TC-NCF）的封裝方式，這種方式與SK海力士的技術(shù)有所不同。然而，如何有效控制發(fā)熱仍是三星需要解決的問(wèn)題。業(yè)界認(rèn)為，三星未來(lái)的主要任務(wù)是穩(wěn)定DRAM生產(chǎn)并持續(xù)改進(jìn)封裝技術(shù)。
三星能否在HBM4市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)反超，仍需觀察其后續(xù)表現(xiàn)。

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