方正微電子發布第二代車規主驅SiC MOS產品
方正微電子近期發布了第二代車規主驅SiC MOS 1200V 13mΩ產品。據公司介紹，該產品在第一代高可靠性的基礎上進一步優化，性能顯著提升，Die size縮小，FOM值提高，同時滿足行業主流芯片面積需求。其主要特點包括高導通電阻（13mΩ）、高擊穿電壓（>1500V）、高閾值電壓（3V）以及高可靠性（＞3000小時）。此外，該產品支持1000VDC電驅系統，可靠性為行業通用認證要求的3倍。
方正微電子表示，第二代車規主驅SiC MOS產品已對標行業頭部企業最新一代產品，而第一代SiC MOS已實現大規模上車，預計到2025年將覆蓋幾十萬輛乘用車主驅。公司產品廣泛應用于新能源車、光儲充、UPS、工業電源、AI服務器以及機器人、eVTOL、電動船舶等新興領域。
在上海慕尼黑展會上，方正微電子展示了碳化硅全場景解決方案，涵蓋新能源汽車、光儲充等多個領域。其中，新能源汽車領域展示了G1/G2/G3三代車規碳化硅晶圓、襯底、外延、裸die器件和模組；光儲充領域則展示了SiC MOS單管、模組及SiC SBD解決方案。
士蘭微電子展示車用SiC模塊及8英寸產線進展
士蘭微電子在上海慕尼黑展會上展示了多項解決方案，覆蓋白電、汽車、工業新能源、AI算力及機器人等領域。其中包括空調/冰箱/洗衣機變頻方案、車用SiC模塊、光伏逆變器解決方案及服務器板級電源等。
士蘭微電子還集中展示了四大核心領域解決方案：白電領域突出直流變頻技術應用；汽車領域展示了B3G SiC模塊等車規級芯片；工業新能源領域主推微型逆變器與儲能變流器方案；AI算力方向則提供六軸IMU傳感器及服務器電源方案。
據資料顯示，士蘭微電子長期堅持IDM（設計制造一體化）發展道路，積累了豐富的技術和工藝經驗。今年2月，士蘭微電子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線項目（廈門士蘭集宏一期）正式封頂。該項目一期投資70億元，預計今年年底初步通線，明年一季度投產，到2028年底將形成年產42萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產能力。
此外，士蘭微電子在廈門制造基地建設的車規級6英寸SiC MOSFET產線自2022年起已量產三年。基于自主研發的第二代SiC主驅芯片開發的高性能SiC功率模塊已大批量上車，并獲得TOP客戶認可。目前，士蘭微已完成四代SiC芯片研發，新一代SiC功率模塊預計今年上量。

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