方正微電子發(fā)布第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品
方正微電子近期發(fā)布了第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品。據(jù)公司介紹，該產(chǎn)品在第一代高可靠性的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化，性能顯著提升，Die size縮小，F(xiàn)OM值提高，同時滿足行業(yè)主流芯片面積需求。其主要特點(diǎn)包括高導(dǎo)通電阻（13mΩ）、高擊穿電壓（>1500V）、高閾值電壓（3V）以及高可靠性（＞3000小時）。此外，該產(chǎn)品支持1000VDC電驅(qū)系統(tǒng)，可靠性為行業(yè)通用認(rèn)證要求的3倍。
方正微電子表示，第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品已對標(biāo)行業(yè)頭部企業(yè)最新一代產(chǎn)品，而第一代SiC MOS已實現(xiàn)大規(guī)模上車，預(yù)計到2025年將覆蓋幾十萬輛乘用車主驅(qū)。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源車、光儲充、UPS、工業(yè)電源、AI服務(wù)器以及機(jī)器人、eVTOL、電動船舶等新興領(lǐng)域。
在上海慕尼黑展會上，方正微電子展示了碳化硅全場景解決方案，涵蓋新能源汽車、光儲充等多個領(lǐng)域。其中，新能源汽車領(lǐng)域展示了G1/G2/G3三代車規(guī)碳化硅晶圓、襯底、外延、裸die器件和模組；光儲充領(lǐng)域則展示了SiC MOS單管、模組及SiC SBD解決方案。
士蘭微電子展示車用SiC模塊及8英寸產(chǎn)線進(jìn)展
士蘭微電子在上海慕尼黑展會上展示了多項解決方案，覆蓋白電、汽車、工業(yè)新能源、AI算力及機(jī)器人等領(lǐng)域。其中包括空調(diào)/冰箱/洗衣機(jī)變頻方案、車用SiC模塊、光伏逆變器解決方案及服務(wù)器板級電源等。
士蘭微電子還集中展示了四大核心領(lǐng)域解決方案：白電領(lǐng)域突出直流變頻技術(shù)應(yīng)用；汽車領(lǐng)域展示了B3G SiC模塊等車規(guī)級芯片；工業(yè)新能源領(lǐng)域主推微型逆變器與儲能變流器方案；AI算力方向則提供六軸IMU傳感器及服務(wù)器電源方案。
據(jù)資料顯示，士蘭微電子長期堅持IDM（設(shè)計制造一體化）發(fā)展道路，積累了豐富的技術(shù)和工藝經(jīng)驗。今年2月，士蘭微電子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目（廈門士蘭集宏一期）正式封頂。該項目一期投資70億元，預(yù)計今年年底初步通線，明年一季度投產(chǎn)，到2028年底將形成年產(chǎn)42萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產(chǎn)能力。
此外，士蘭微電子在廈門制造基地建設(shè)的車規(guī)級6英寸SiC MOSFET產(chǎn)線自2022年起已量產(chǎn)三年。基于自主研發(fā)的第二代SiC主驅(qū)芯片開發(fā)的高性能SiC功率模塊已大批量上車，并獲得TOP客戶認(rèn)可。目前，士蘭微已完成四代SiC芯片研發(fā)，新一代SiC功率模塊預(yù)計今年上量。

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