據(jù)科技日?qǐng)?bào)消息，西湖大學(xué)孵化的西湖儀器（杭州）技術(shù)有限公司近日成功研發(fā)出12英寸碳化硅襯底自動(dòng)化激光剝離技術(shù)。這一突破性進(jìn)展有效解決了12英寸及以上超大尺寸碳化硅襯底切片的技術(shù)難題。
西湖大學(xué)工學(xué)院講席教授仇旻表示，制造更大尺寸的碳化硅襯底材料是碳化硅行業(yè)實(shí)現(xiàn)降本增效的重要途徑。與6英寸和8英寸襯底相比，12英寸碳化硅襯底顯著擴(kuò)大了單片晶圓上可用于芯片制造的面積。在相同生產(chǎn)條件下，這不僅能夠大幅提升芯片產(chǎn)量，還能有效降低單位芯片的制造成本。
仇旻進(jìn)一步介紹，該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了碳化硅晶錠減薄、激光加工以及襯底剝離等流程的自動(dòng)化操作。相比傳統(tǒng)切割技術(shù)，激光剝離過程無需材料損耗，原料損耗顯著減少。此外，新技術(shù)大幅縮短了襯底出片時(shí)間，為未來超大尺寸碳化硅襯底的規(guī)模化量產(chǎn)提供了技術(shù)支持，從而進(jìn)一步推動(dòng)行業(yè)降本增效。

這一技術(shù)的突破不僅為碳化硅材料的應(yīng)用開辟了新路徑，也為半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)發(fā)展注入了新的動(dòng)力。

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