據科技日報消息，西湖大學孵化的西湖儀器（杭州）技術有限公司近日成功研發(fā)出12英寸碳化硅襯底自動化激光剝離技術。這一突破性進展有效解決了12英寸及以上超大尺寸碳化硅襯底切片的技術難題。
西湖大學工學院講席教授仇旻表示，制造更大尺寸的碳化硅襯底材料是碳化硅行業(yè)實現降本增效的重要途徑。與6英寸和8英寸襯底相比，12英寸碳化硅襯底顯著擴大了單片晶圓上可用于芯片制造的面積。在相同生產條件下，這不僅能夠大幅提升芯片產量，還能有效降低單位芯片的制造成本。
仇旻進一步介紹，該技術實現了碳化硅晶錠減薄、激光加工以及襯底剝離等流程的自動化操作。相比傳統切割技術，激光剝離過程無需材料損耗，原料損耗顯著減少。此外，新技術大幅縮短了襯底出片時間，為未來超大尺寸碳化硅襯底的規(guī)模化量產提供了技術支持，從而進一步推動行業(yè)降本增效。

這一技術的突破不僅為碳化硅材料的應用開辟了新路徑，也為半導體行業(yè)的技術發(fā)展注入了新的動力。

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