據韓國媒體ZDNet Korea報道稱，三星近日與長江存儲簽署了3D NAND“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術的專利許可協議，從第10代V-NAND（V10）開始，將使用長江存儲的專利技術進行制造。三星第10代V-NAND（V10）將引入多項新技術，其中最重要的就是晶圓對晶圓（wafer-to-wafer）形式的混合鍵合。簡單來說，混合鍵合的優勢包含提高效能、提升散熱特性等，有利于提高生產力。報道稱，三星之所以選擇向長江存儲獲取“混合鍵合”專利授權，主要是早在四年前，長江存儲已建立完善的混合鍵合專利體系，與Xperi、臺積電共同占據該領域的主導地位，三星難以繞開相關專利。三星在開發第10代V-NAND（V10）時面臨堆疊層數超過400層后的可靠性問題。而長江存儲的混合鍵合技術（Xtacking）通過晶圓直接貼合（W2W），縮短電氣路徑并提升散熱能力，成為解決這一難題的關鍵。 在傳統3D NAND架構中，外圍電路約占芯片面積的20~30%。而隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路所占據的芯片面積或將達到50%以上，同時，這種方法最多可容納300多層的NAND。因此，對于3D NAND廠商來說，要想發展400層以上的NAND堆疊，混合鍵合技術已經成為了一項核心技術。長江存儲的混合鍵合技術，將推動高堆疊層數的3D NAND制造轉向CBA（CMOS鍵合陣列）架構。目前，長江存儲自研的混合鍵合技術已進展到4.x版本，且成功量產了160層、192層、232層產品。最新研究報告顯示，長江存儲今年早些時候還成功實現了2yy（預估270層）3D TLC（三級單元）NAND 商業化。TechInsights表示：“長江存儲的2yy 3D NAND是我們在市場上發現的密度最高的NAND”，“最重要的是，它是業內第一個實現超過20Gb/mm2位密度的3D NAND”。隨著NAND技術向更高層數（如V10、V11、V12）演進，三星需持續依賴長江存儲的專利支持，韓媒預期，SK海力士也可能會跟進合作。2024年2月，SK海力士副社長金春煥在“SEMICON Korea 2024”主題演講中透露，SK海力士正在開發下一代平臺，將通過混合鍵合技術提高400層等級NAND產品的經濟性、量產性。MpE28資訊網——每日最新資訊28at.com
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