智能終端時(shí)代來(lái)臨,存儲(chǔ)器業(yè)界開(kāi)始關(guān)注移動(dòng)HBM技術(shù)。三星電子與SK海力士在此領(lǐng)域策略上出現(xiàn)分歧。據(jù)傳,三星側(cè)重于效能與穩(wěn)定,而SK海力士更專注于成本效益。
三星正開(kāi)發(fā)針對(duì)AI智能手機(jī)、PC等的次時(shí)代DRAM,旨在最大化運(yùn)算效能。其采用VCS技術(shù),通過(guò)堆疊LPDDR DRAM,增加I/O端子,打造低延遲寬IO的DRAM產(chǎn)品。然而,該技術(shù)生產(chǎn)時(shí)間與成本較高。
SK海力士則選擇VFO技術(shù),以銅線取代銅柱,避免繁瑣的鉆孔與電鍍,更具成本效益。但較細(xì)銅線在填充環(huán)氧樹(shù)脂過(guò)程中可能發(fā)生位移或脫落。
業(yè)界人士表示,三星優(yōu)先考慮產(chǎn)品完成度,SK海力士考慮成本效率。由于客戶需求不同,尚難斷言誰(shuí)的技術(shù)更適合市場(chǎng)。
兩大公司計(jì)劃在2025年完成技術(shù)開(kāi)發(fā),2026年量產(chǎn)移動(dòng)HBM。隨著市場(chǎng)需求變化,其技術(shù)戰(zhàn)略可能對(duì)移動(dòng)HBM市場(chǎng)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響,可能改變市場(chǎng)版圖。
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