智能終端時代來臨,存儲器業界開始關注移動HBM技術。三星電子與SK海力士在此領域策略上出現分歧。據傳,三星側重于效能與穩定,而SK海力士更專注于成本效益。
三星正開發針對AI智能手機、PC等的次時代DRAM,旨在最大化運算效能。其采用VCS技術,通過堆疊LPDDR DRAM,增加I/O端子,打造低延遲寬IO的DRAM產品。然而,該技術生產時間與成本較高。
SK海力士則選擇VFO技術,以銅線取代銅柱,避免繁瑣的鉆孔與電鍍,更具成本效益。但較細銅線在填充環氧樹脂過程中可能發生位移或脫落。
業界人士表示,三星優先考慮產品完成度,SK海力士考慮成本效率。由于客戶需求不同,尚難斷言誰的技術更適合市場。
兩大公司計劃在2025年完成技術開發,2026年量產移動HBM。隨著市場需求變化,其技術戰略可能對移動HBM市場產生深遠影響,可能改變市場版圖。
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