半導體測試設備領導者愛德萬測試(Advantest Corporation)發布了T5801超高速DRAM測試系統。該系統專為GDDR7、LPDDR6和DDR6等最新高速存儲器技術設計,旨在滿足AI、HPC和邊緣應用等需求。
隨著存儲器技術日益復雜和高速,T5801平臺應運而生,為最高速度的存儲器元件提供精準、高效的測試。
該系統采用創新前端單元測試(FEU)架構,滿足次時代DRAM模塊的嚴格需求,達到36Gbps PAM3和18Gbps NRZ的領先效能。
愛德萬測試ATE事業群存儲器測試事業本部長鈴木雅之表示,T5801能幫助客戶以準確、快速和可靠的方式驗證次時代DRAM效能,確保產品快速上市。
T5801建立在愛德萬測試的領先DRAM測試解決方案基礎上,支持PAM3,創下JEDEC標準DRAM首例,展現其在GDDR7等存儲器創新方面的實力。
本文鏈接:http://www.tebozhan.com/showinfo-27-131666-0.html愛德萬發布T5801超高速DRAM測試系統,滿足AI、HPC和邊緣應用需求
聲明:本網頁內容旨在傳播知識,若有侵權等問題請及時與本網聯系,我們將在第一時間刪除處理。郵件:2376512515@qq.com
上一篇: QSAN與WD攜手,推進醫療影像虛擬化
下一篇: 英飛凌泰國建新后段廠,優化和豐富制造布局