NAND閃存市場正在經(jīng)歷嚴(yán)峻考驗(yàn),預(yù)計(jì)2025年將繼續(xù)面臨需求低迷與供過于求的雙重壓力。為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn),全球主要存儲(chǔ)芯片制造商如三星、SK海力士和美光等都已計(jì)劃在2025年進(jìn)行減產(chǎn),其中三星已經(jīng)在去年底宣布減少西安工廠的產(chǎn)量,并調(diào)低韓國生產(chǎn)線的產(chǎn)量,整體削減幅度超過10%。
自2024年第三季度以來,NAND閃存價(jià)格持續(xù)下跌,這使得市場需求前景變得更加不明朗,供應(yīng)商對于2025年上半年的需求保持謹(jǐn)慎態(tài)度。為了控制成本并避免庫存積壓,三星與SK海力士已決定在2025年第一季度采取更激進(jìn)的減產(chǎn)措施,預(yù)計(jì)削減幅度將超過10%。
然而,減產(chǎn)背后不僅是市場供需失衡的現(xiàn)實(shí),還有技術(shù)進(jìn)步帶來的影響。為了適應(yīng)更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝,舊有的生產(chǎn)線正在升級過渡,期間部分設(shè)備的停產(chǎn)導(dǎo)致了產(chǎn)量下降。三星和SK海力士正在加速向更高層數(shù)的NAND閃存產(chǎn)品遷移,如176層、238層及321層等新型產(chǎn)品,以取代原有的128層產(chǎn)品。
此外,這些減產(chǎn)措施也可被視作對國內(nèi)新興競爭者長江存儲(chǔ)的回應(yīng)。長江存儲(chǔ)推出的第五代3D TLC NAND閃存憑借其294層堆疊和領(lǐng)先的技術(shù),成為了市場中的一大亮點(diǎn),給行業(yè)格局帶來了新的挑戰(zhàn)。
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