三星電子正在對其中國西安工廠進行重大技術升級，將生產(chǎn)線從128層（V6）和236層（V8）NAND閃存工藝升級到最新的286層（V9）工藝。這一舉措旨在應對當前市場的低迷需求，并抵御來自中國半導體公司的激烈競爭。Zh128資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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三星計劃在2024年上半年引進新設備，并在下半年建立每月產(chǎn)能為2000至5000片晶圓的286層NAND生產(chǎn)線。Zh128資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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西安工廠是三星唯一的海外存儲生產(chǎn)基地，占其全球NAND總產(chǎn)量的40%，對三星的全球供應鏈至關重要。此次升級預計將顯著提升該工廠的生產(chǎn)能力，進一步鞏固三星在全球存儲芯片市場的領先地位。2023年，美國拜登政府授予三星“經(jīng)過驗證的最終用戶（VEU）”許可，允許其在中國生產(chǎn)超過200層的NAND閃存，這一許可為三星在中國使用先進制造工藝提供了保障。Zh128資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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業(yè)內人士指出，三星在韓國國內擴展先進NAND工藝的同時，也在升級其在中國的NAND工藝，這種雙重策略凸顯了三星在全球范圍內保持競爭優(yōu)勢的決心。此外，三星還計劃從2024年下半年開始，在韓國平澤P1工廠量產(chǎn)400層（V10）NAND閃存，并可能在2025年下半年實現(xiàn)初步量產(chǎn)。Zh128資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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