快科技6月29日消息,全球大半導體設(shè)備龍頭ASML已著手研發(fā)下一代Hyper NA EUV先進光刻機,為未來十年的芯片產(chǎn)業(yè)做準備。
Jos Benschop表示,ASML及獨家光學合作伙伴蔡司(Carl Zeiss)正在研究可在單次曝光中印刷出分辨率精細到5nm的EUV光刻機,可滿足2035年之后的制程需求。
據(jù)悉,ASML目前出貨的先進光刻機,可達到單次曝光8nm分辨率。 而之前老舊光刻機必須多次曝光才能達到類似分辨率,不僅效率較低,而且良率也有限。
Benschop指出,ASML正與蔡司進行設(shè)計研究,目標是實現(xiàn)數(shù)值孔徑(NA)0.7 或以上,目前尚未設(shè)定具體上市時間表。
數(shù)值孔徑(NA)是衡量光學系統(tǒng)收集與聚焦光線能力的關(guān)鍵指標,也是決定電路圖樣能否精細投影到晶圓上的關(guān)鍵因素。 當NA越大、光波長越短,印刷分辨率就越高。
目前標準EUV光刻機的NA為0.33,新一代High NA EUV則提升至0.55。 當下,ASML正朝向NA 0.7或超高NA(Hyper NA)邁進。
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