在加州圣何塞舉辦的年度存儲技術大會上,三星披露了下一代HBM3E的情況,相比現有HBM3在容量、頻率、帶寬方面都有了巨大的提升。
三星HBM3E內存采用基于EUV極紫外光刻工藝的第四代10nm級工藝制造,確切地說是14nm。
單Die容量可達24Gb,8顆堆疊就是24GB,12顆堆疊就是36GB,相比HBM3增加了一半。
等效頻率可達9.8GHz,同樣提升一半,領先SK海力士的9GHz、美光的9.2GHz,單顆芯片的帶寬可以做到1-1.1225TB/s。
對于NVIDIA H100這樣的計算卡,六顆HBM3E可以組成單卡216GB的海量內存,總帶寬高達7.35TB/s。
能效方面,三星宣稱可以提升10%,但顯然會被25%的頻率提升所抵消掉。
考慮到三星剛剛量產HBM3,新一代的HBM3E將在明年的某個時候量產,而出貨可能要到明年底了。
正因為如此,NVIDIA下一代計算卡B100將獨家使用SK海力士的HBM3E,三星至少第一批趕不上了。
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