除了宣布下一代HBM3E高帶寬內存可以做到單顆芯片36GB、等效頻率9.8GHz的世界領先,三星還展望了真正全新一代HBM4內存的方向。
在三星的規劃中,HBM4將有兩個發展方向,使用更先進的晶體管工藝和更高級的封裝技術。
工藝方面,三星計劃在HBM上放棄傳統的平面晶體管,改用FinFET立體晶體管,從而降低所需的驅動電流,改善能效。
FinFET立體晶體管技術是Intel 22nm率先引用的,這些年一直是半導體制造工藝的根基,接下來在Intel 20A、臺積電2nm、三星3nm上,都將轉向全環繞立體柵極晶體管。
封裝方面,三星計劃從微凸點鍵合轉向無凸點鍵合(bumpless bongding),將銅層與銅層直接互連。
事實上,這在邏輯芯片領域也是相當先進的技術,仍在研發之中。
顯然,這些都有助于HBM內存繼續擴大容量、提升頻率和帶寬,但成本也將居高不下,注定它不會和普通用戶產生多大關聯,依然是HPC、AI領域的專屬。
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