快科技2月27日消息,據國外媒體新消息稱,三星將在今年下半年,開始使用中國存儲專利技術生產相應的芯片。
近期,三星電子已與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了開發堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”技術的專利許可協議。
按照消息人士的說法,三星計劃于2025年下半年量產下一代V10 NAND,將使用長江存儲的專利技術,特別是在“混合鍵合”技術方面。
三星之所以選擇向長江存儲獲取“混合健合”專利授權,主要由于目前長江存儲在“混合鍵合”技術方面處于全球領先地位。并且三星經過評估認為,從下一代V10 NAND開始,其已經無法再避免長江存儲專利的影響。
對于中國存儲行業來說,這確實是振奮人心的消息,畢竟大家從落后一直到趕超,這也從側面反映了中國科技自主創新的成果。
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