Redmi Pad評測：紅米充滿野心的一次嘗試
從Note系列到K系列，從藍牙耳機到筆記本電腦，紅米不知不覺之間也已經形成了自己頗有競爭力的產品體系，在中端和次旗艦市場上甚至要比小米新機的表現來得更好，正所謂“大丈夫生居
快科技2月26日消息，隨著NAND閃存技術競爭日益激烈，三星電子公布的路線圖顯示，計劃到2030年開發出1000層的NAND閃存。
為了實現這一目標，三星計劃引入一種名為“多BV”（multi-BV）的NAND結構，通過堆疊四片晶圓來突破結構限制。
三星電子DS部門首席技術官宋在赫（Song Jae-hyuk）透露，三星將采用晶圓鍵合技術，分別制造外圍晶圓和單元晶圓，然后將它們鍵合在一起形成單一的半導體，這種技術預計將在三星的V10（第10代）NAND中首次應用。
此前，三星在NAND生產中采用的是COP方法，即將外圍電路放在一塊晶圓上，然后將單元堆疊在上面，隨著層數的增加，底層外圍電路的壓力會影響可靠性。
為了實現更高的層數，三星決定與長江存儲合作，使用其混合鍵合專利技術，從V10 NAND開始，三星將引入這一技術。
據ZDNet報道，三星計劃在2025年下半年開始量產V10 NAND，預計層數將達到420至430層。
除了晶圓鍵合技術外，三星還計劃在未來的NAND生產中引入多種關鍵技術，包括低溫刻蝕和鉬的使用，這些技術將從400層NAND開始應用。
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