快科技2月26日消息,美光宣布,基于新1γ納米工藝的DDR5 DRAM內存芯片已經投產,性能、能效、密度等各項指標都大幅提升。
DRAM內存行業的節點工藝一直不標注具體數值,而是1a、1b、1c、1α、1β、1γ這樣的迭代順序,越來越先進,其中1a比較接近20nm,1γ則接近10nm。
這是美光內存第一次用上EUV極紫外光刻工藝,而三星、SK海力士早就用了,不過美光這次同時還引入了下一代HKMG金屬柵極技術,預計全新的BEOL后端工序。
不過美光沒有透露使用了多少EUV光刻層,猜測目前只是在關鍵層上用EUV,否則就得多重曝光,增加時間和成本。
美光的1γ DDR5單顆容量為16Gb(2GB),可以輕松組成單條容量128GB的企業級產品,號稱容量密度比1β的再次增加30%,事實上之前每代提升工藝都能增加30%的密度。
它只需要1.1V的標準電壓,就能達到9200MHz(嚴格來說是9200MT/s)的超高頻率,而目前市面上常見的高頻內存往往得1.35V甚至1.45V的高電壓。
更低的電壓不但更安全,還能節省功耗,號稱比1β工藝的多降低20%。
目前,美光1γ DDR5內存只在日本工廠生產,后續會逐步擴大產能,相關產品預計今年年中左右上市。
未來,美光在中國臺灣的工廠也會引入EVU,并使用1γ工藝制造GDDR7顯存、LPDDR 5X高頻內存(高9600MHz)。
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