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快科技2月21日消息，鎧俠宣布了與閃迪聯(lián)合開發(fā)的第10代BiCS 3D NAND閃存，無論堆疊層數(shù)、存儲密度、接口速率性能，都達到了新的高度。
鎧俠新閃存采用CBA雙晶圓鍵合技術(shù)，分別制造CMOS控制電路、NAND存儲陣列，然后鍵合在一起，其實就是學習的長江存儲的Xtacking晶棧架構(gòu)。
3D堆疊層數(shù)達到空前的332層，對比第8代的218層增加了多達38％，也超過了SK海力士的321層、三星的290層、美光的276層、西數(shù)的218層。
鎧俠的目標，是在2027年造出1000層堆疊的3D閃存。
得益于更多層的堆疊，存儲密度號稱提升59％，算下來約為每平方毫米36.4Gb，同樣遠遠領(lǐng)先友商，西數(shù)也只做到了每平方毫米22.9Gb，SK海力士更是不過每平方毫米20Gb。
不過，鎧俠暫未公布具體的閃存類型(TLC/QLC)，以及單Die容量。
新閃存同時支持Toggle DDR 6.0接口規(guī)范，傳輸速度高達4800MT/s，比前代提升33％，同樣是新高，超過了美光、西數(shù)的3600MT/s。
此外，鎧俠這次還加入了PI-LTT低功耗技術(shù)，輸入功耗降低10％，輸出功耗降低34％，可以更好地滿足AI技術(shù)需求。
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