快科技2月19日消息,韓國(guó)首爾中央地方法院第25刑事部(主審法官池貴淵)宣布,三星電子前高管金某,向中國(guó)企業(yè)泄露韓國(guó)核心半導(dǎo)體技術(shù),違反《防止信息泄漏及保護(hù)產(chǎn)業(yè)技術(shù)相關(guān)法律》,一審判處有期徒刑7年。
同時(shí)被起訴的原分包商員工方某、金某,分別被判處2年6個(gè)月、1年6個(gè)月有期徒刑。
金某曾任三星電子部長(zhǎng),被指控在2016年跳槽至中國(guó)新成立的某半導(dǎo)體公司時(shí),泄露了三星電子DRAM內(nèi)存芯片相關(guān)制程工藝的信息。
方某曾任三星電子旗下半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商A公司的團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人,被指控與金某等人合謀,竊取公司半導(dǎo)體沉積設(shè)備的技術(shù)數(shù)據(jù),并泄露給中國(guó)公司。
韓國(guó)法院認(rèn)定,檢方對(duì)被告的大多數(shù)指控成立,并認(rèn)為“以金某為首的被告人竊取了受害公司的重要數(shù)據(jù),并將其用于為一家中國(guó)公司制造產(chǎn)品”、“金某泄露了三星電子的技術(shù)數(shù)據(jù)并加以利用”。
法院還指出:“這是妨礙相關(guān)領(lǐng)域良好競(jìng)爭(zhēng)和貿(mào)易秩序的嚴(yán)重犯罪,對(duì)韓國(guó)國(guó)家產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力造成重大負(fù)面影響??紤]到中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段,三星電子的損失將是巨大的。”
隨著DeepSeek大模型的大規(guī)模部署,將刺激對(duì)于大容量DRAM芯片和AI芯片的需求,2025-2026年將是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵時(shí)期。
隨著技術(shù)升級(jí)與量產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大,中國(guó)DRAM、NAND半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的固定成本將進(jìn)一步降低,在全球市場(chǎng)更具競(jìng)爭(zhēng)力。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、兆易創(chuàng)新等企業(yè)正積極擴(kuò)產(chǎn),預(yù)計(jì)未來(lái)兩年將顯著提升市占率,并減少對(duì)進(jìn)口技術(shù)的依賴。
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