近期,SK海力士在DRAM芯片技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了重大飛躍,其1cnm工藝的DRAM芯片良品率顯著增長,從去年下半年的60%躍升至當(dāng)前的80%-90%,這一水平已躋身行業(yè)前列。
這一技術(shù)革新恰好迎合了AI技術(shù)蓬勃發(fā)展所帶來的高性能存儲需求的激增。SK海力士有望借此在消費級市場和數(shù)據(jù)中心市場構(gòu)建顯著的技術(shù)優(yōu)勢,對三星在DRAM領(lǐng)域的霸主地位構(gòu)成有力挑戰(zhàn)。
采用1cnm工藝精心打造的DDR5 DRAM芯片,在性能上實現(xiàn)了顯著提升。其運行速率高達8Gbps,相比前代產(chǎn)品提升了11%。同時,能效也提高了9%以上。通過一系列設(shè)計技術(shù)的創(chuàng)新,生產(chǎn)效率更是提升了超過30%。
SK海力士在提升芯片性能的同時,也兼顧了成本控制。通過引入新型材料和優(yōu)化EUV工藝,該公司成功保持了成本競爭力。據(jù)估算,數(shù)據(jù)中心采用這種新型芯片后,電力成本有望節(jié)省30%以上。
盡管目前具體的上市時間尚未明確,但這一技術(shù)突破無疑為下一代高性能存儲解決方案的發(fā)展奠定了堅實的基礎(chǔ)。隨著良品率的不斷攀升和產(chǎn)能的逐步擴大,1cnm DRAM芯片有望徹底改變存儲市場的格局,為AI時代的數(shù)據(jù)處理需求提供更加堅實的支持。
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