9月5日消息，日本東北大學(xué)的科研人員最近成功開發(fā)出一種具有潛力的材料，或?qū)橄嘧兇鎯ζ黝I(lǐng)域帶來新的突破。他們利用濺射技術(shù)，成功制備了碲化鈮(NbTe4)材料，據(jù)稱該材料在存儲和熱性能方面表現(xiàn)出色，或可應(yīng)用于相變存儲器的制造，為該領(lǐng)域提供更多的原材料選擇，同時降低相關(guān)制造成本。M9N28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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相變存儲器(Phase ChangeMemory，PCM)作為一種新型存儲技術(shù)，一直受到關(guān)注。相對于傳統(tǒng)的閃存存儲器，PCM利用相變材料的固態(tài)和液態(tài)相變特性來實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲和讀取，具備讀寫速度更快、存儲密度更高、功耗更低以及尺寸更小的優(yōu)勢。然而，由于制造相變存儲器介質(zhì)的成本較高，目前該技術(shù)主要局限于企業(yè)級應(yīng)用，尚未在家庭市場得到廣泛應(yīng)用。M9N28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

據(jù)了解，研究人員采用了濺射技術(shù)，將碲化鈮(NbTe4)材料成功地制備出來。濺射技術(shù)是一種常用的材料薄膜制備技術(shù)，它能夠?qū)⒉牧媳∧こ练e到基底上，實現(xiàn)對膜厚和成分的精確控制。研究人員在高于272℃的溫度下進(jìn)行退火，使得碲化鈮(NbTe4)結(jié)晶，這種材料具有超低的熔點約為447℃，因此在物理上相對穩(wěn)定，適合用于制造相變存儲器。M9N28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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經(jīng)過對該材料晶體的評估，研究人員發(fā)現(xiàn)，與傳統(tǒng)的相變存儲器材料相比，碲化鈮(NbTe4)晶體具有更高的熱穩(wěn)定性，并且其從結(jié)晶態(tài)到液態(tài)的相變速度約為30納秒，顯示出作為相變存儲器原材料的潛力。東北大學(xué)材料科學(xué)高等研究所助理教授Shuang表示：“碲化鈮(NbTe4)具備低熔點、高結(jié)晶溫度和優(yōu)異的相變性能，為高性能相變存儲器的開發(fā)提供了新的可能性，這或許是解決相變存儲器成本挑戰(zhàn)的理想材料之一?！?span style="display:none">M9N28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

通過這項研究，科學(xué)家們?yōu)橄嘧兇鎯ζ骷夹g(shù)的進(jìn)一步發(fā)展開辟了新的途徑。碲化鈮(NbTe4)作為一種具備卓越性能和潛力的材料，有望在未來為存儲領(lǐng)域帶來更多的創(chuàng)新，推動存儲器技術(shù)的不斷演進(jìn)。雖然相變存儲器技術(shù)目前仍然處于企業(yè)級階段，但隨著研究的不斷深入，相信它有望逐漸走向家庭市場，為普通消費者帶來更快、更高密度的存儲解決方案。M9N28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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