7月25日消息，據(jù)最新國外媒體報道，蘋果公司正醞釀一項重大技術升級，計劃在2026年的iPhone系列中引入前所未有的2TB存儲容量，此舉無疑將徹底改寫智能手機存儲容量的標準。這一變革的背后，是蘋果加速推進QLCNAND閃存技術的換代步伐，旨在通過技術革新進一步提升產(chǎn)品競爭力。mHR28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈內部人士透露，蘋果選擇QLC NAND閃存作為未來存儲解決方案的關鍵，主要出于成本控制的考量。與當前廣泛使用的TLC NAND閃存相比，QLCNAND以其獨特的四層單元設計，在存儲密度上實現(xiàn)了顯著提升。每個存儲單元能夠存儲四位數(shù)據(jù)，這意味著在相同物理空間內，QLCNAND能夠存儲更多數(shù)據(jù)，或者通過減少單元數(shù)量達到相同的存儲容量，從而有效降低生產(chǎn)成本。mHR28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

mHR28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

然而，QLCNAND閃存雖然在存儲密度上占據(jù)優(yōu)勢，但其寫入耐久性和速度方面卻面臨一定挑戰(zhàn)。由于每個單元需要存儲更多的數(shù)據(jù)，其寫入次數(shù)相應增加，可能導致數(shù)據(jù)持久性下降。此外，QLCNAND能夠存儲16種不同的電荷電平，較TLC的8種電平更為復雜，這在一定程度上增加了讀取過程中的噪聲干擾和位錯誤風險。mHR28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

據(jù)了解，蘋果在推進QLC NAND技術的同時，已著手解決這些潛在問題。通過優(yōu)化固件算法、增強錯誤校正機制等措施，蘋果力求在確保存儲性能的同時，提升QLCNAND的可靠性和耐用性。盡管如此，隨著QLC NAND的引入，部分用戶仍可能感受到數(shù)據(jù)寫入速度的變化，尤其是在存儲容量達到或超過1TB的iPhone16系列中，這一現(xiàn)象可能更為明顯。mHR28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

蘋果此次對存儲技術的重大調整，不僅反映了其在技術創(chuàng)新上的不懈追求，也預示著智能手機市場即將迎來一場存儲容量的革命。mHR28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

本文鏈接：http://www.tebozhan.com/showinfo-16-104608-0.htmliPhone將邁入2TB時代？蘋果被曝棄TLC要用QLC，性能壽命成焦點

聲明：本網(wǎng)頁內容旨在傳播知識，若有侵權等問題請及時與本網(wǎng)聯(lián)系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com

上一篇： 西藏：2023年數(shù)字經(jīng)濟增加值規(guī)模創(chuàng)歷史新高達205.98億元

下一篇： TCL Onetouch一鍵通T10 5G：高性價比引領5G適老化，助推5G全民普及