ictimes消息,三星公司在半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了引人注目的突破,其極紫外(EUV)光刻技術(shù)實現(xiàn)了顯著的進(jìn)展。在最近舉行的“KISM2023”學(xué)術(shù)會議上,三星DS事業(yè)部研究員康永錫(Kang Young-seok)詳細(xì)介紹了EUV技術(shù)的現(xiàn)狀和未來發(fā)展方向。
據(jù)了解,三星的EUV技術(shù)的核心在于其對EUV薄膜的創(chuàng)新應(yīng)用,這種材料在半導(dǎo)體生產(chǎn)的光刻過程中扮演著至關(guān)重要的角色,能夠有效保護光刻區(qū)域,防止外部顆粒引起的缺陷。康永錫透露,三星目前采用的EUV薄膜透光率已經(jīng)達(dá)到驚人的90%,而公司計劃將其進(jìn)一步提升至94-96%的水平。
這一90%的透光率意味著只有部分光線能夠穿透薄膜,達(dá)到掩膜的效果,相較于一般使用氟化氬(ArF)光源的光刻工藝,其透光率較低,后者通常能夠達(dá)到99.3%。這突破性的技術(shù)提升為三星在EUV代工生產(chǎn)線上引入了更多的客戶打開了新的可能性。盡管在DRAM生產(chǎn)中也采用了EUV工藝,但鑒于生產(chǎn)效率和成本的考慮,存儲器的量產(chǎn)仍然被認(rèn)為是可行的選擇。
此外,康永錫暗示三星在采用EUV薄膜時并未選擇國內(nèi)供應(yīng)商的產(chǎn)品。他透露,目前唯一的供應(yīng)商是日本三井公司。雖然韓國的一些公司,如FST和S&S Tech,也在積極開發(fā)EUV薄膜,但迄今為止還未達(dá)到量產(chǎn)的水平。
這一新聞表明,三星在半導(dǎo)體領(lǐng)域不斷取得創(chuàng)新突破,其EUV技術(shù)的進(jìn)步為行業(yè)帶來了新的發(fā)展方向。隨著EUV薄膜透光率的不斷提升,相信三星將在未來取得更加顯著的成就,推動半導(dǎo)體制造技術(shù)邁向新的高度。
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