英飛凌科技股份公司(以下簡稱“英飛凌”)與英飛源技術(深圳)有限公司(以下簡稱“英飛源”)宣布達成合作,將共同拓展新能源汽車充電市場。英飛凌將為英飛源提供1200 V CoolSiC MOSFET功率半導體元件,以提升電動汽車充電站的效率。
英飛凌的CoolSiC MOSFET是基于碳化矽(SiC)的功率半導體,具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優勢。這種元件能夠大幅提高充電效率,加快充電速度,為電動汽車車主創造更好的用戶體驗。
英飛源是國內新能源汽車充電市場的領軍企業,一直致力于提供高效、可靠的電動汽車充電解決方案。此次合作將進一步加強英飛源在新能源汽車充電市場的領先地位。
由于擁有高功率密度,SiC適用于開發高效能、輕量且緊湊的充電解決方案,這對超級充電站及超緊湊壁掛式直流充電樁尤為有益。SiC技術相比傳統的矽技術可將電動汽車充電站的效率提高1%,從而降低了能耗和營運成本。以一座100 kW的充電站為例,這意味著節省1 kWh電能,每年節省270歐元成本,以及減少3.5噸碳排放。這將大幅推動SiC功率元件在電動汽車充電模塊中的應用。
作為最早將溝槽閘技術用于晶體管的SiC功率半導體制造商之一,英飛凌推出了幫助提高充電解決方案可靠性的先進設計。這些元件具有高閾值電壓,并簡化了閘極驅動。CoolSiC MOSFET技術在上市前已通過馬拉松應力試驗及閘極電壓跳變應力試驗,并在上市后定期進行監控,以確保擁有最高閘極可靠性。
采用英飛凌1200 V CoolSiC MOSFET,使得英飛源的30 kW直流充電模塊能夠實現寬恒功率范圍,高功率密度,最小電磁輻射和干擾,高保護效能,以及高可靠性。這使其不僅能夠滿足大多數電動汽車的快速充電需求,還能實現比市場上的其他解決方案高出1%的效率。這有助于大幅降低能耗和碳排放,達到全球領先水準。
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