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Transphorm推出首款頂部散熱TOLT氮化鎵晶體管

來(lái)源：責(zé)編：時(shí)間：2023-11-30 17:31:21 288觀看

導(dǎo)讀Transphorm，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的領(lǐng)先供應(yīng)商，近日宣布推出業(yè)內(nèi)首款采用頂部散熱的TOLT氮化鎵晶體管。這款新品TP65H070G4RS，是Transphorm的SuperGaN? FET系列中的一員，導(dǎo)通電阻僅為72毫歐。它采用了JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TOLT封裝

Transphorm，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的領(lǐng)先供應(yīng)商，近日宣布推出業(yè)內(nèi)首款采用頂部散熱的TOLT氮化鎵晶體管。這款新品TP65H070G4RS，是Transphorm的SuperGaN? FET系列中的一員，導(dǎo)通電阻僅為72毫歐。它采用了JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TOLT封裝，是首個(gè)此類(lèi)封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵器件。

TP65H070G4RS利用了Transphorm強(qiáng)大的650 V常閉型d-mode氮化鎵平臺(tái)，這一平臺(tái)在效率上優(yōu)于硅、碳化硅和其他氮化鎵產(chǎn)品。SuperGaN平臺(tái)的優(yōu)勢(shì)與TOLT封裝更好的散熱性及系統(tǒng)組裝靈活性相結(jié)合，為電源系統(tǒng)客戶(hù)提供了高性能、高可靠性的GaN解決方案。

Transphorm正與全球多個(gè)高功率GaN合作伙伴展開(kāi)合作，包括服務(wù)器和存儲(chǔ)電源領(lǐng)域的領(lǐng)先客戶(hù)。新品的發(fā)布進(jìn)一步豐富了Transphorm的產(chǎn)品線，彰顯了其以不同封裝形式器件支持客戶(hù)應(yīng)用的市場(chǎng)承諾。

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