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SemiQ推出200,227V MOSFET，采用SOT-1封裝

來源：責編：時間：2023-11-28 17:12:36 287觀看

導讀SemiQ最新推出的SiC模塊系列，采用了創(chuàng)新的SOT-1封裝，并搭載了200V和227V的MOSFET，可選配1,200V SiC肖特基二極管。這一系列模塊的推出旨在擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍，提供更多的設計靈活性。這些全新SiC模塊建立在高性能

SemiQ最新推出的SiC模塊系列，采用了創(chuàng)新的SOT-1封裝，并搭載了200V和227V的MOSFET，可選配1,200V SiC肖特基二極管。這一系列模塊的推出旨在擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍，提供更多的設計靈活性。

這些全新SiC模塊建立在高性能陶瓷的堅實基礎上，經(jīng)過精心設計，以確保在苛刻的環(huán)境下保持卓越的性能水平。其高擊穿電壓（> 1,400 V）、高溫工作（TJ= 175°C）以及低Rds(On)位移等特性，使其在各種應用場景下都能表現(xiàn)出色。此外，模塊還具備最長的柵極氧化層壽命和穩(wěn)定性、抗雪崩（UIS）以及更長的短路耐受時間，進一步提升了其可靠性。

這一系列SiC模塊的應用領域廣泛，包括電動汽車充電、車載充電器（OBC）、DC-DC轉換器、電動壓縮機、燃料電池轉換器、醫(yī)療電源、儲能系統(tǒng)、太陽能和風能系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心電源、UPS/PFC電路等。特別值得關注的是，這些模塊與現(xiàn)有的SOT-227 SiC SBD模塊結合使用，為用戶提供更多選擇。

為了確保每個新的QSiC模塊都具有穩(wěn)定的柵極閾值電壓和高質(zhì)量的柵極氧化物，SemiQ采用了晶圓級的柵極老化測試。除了普通的老化測試外，模塊還經(jīng)過了一系列應力測試，包括高溫反向偏置（HTRB）漏極應力、高濕度、高壓和高溫（H3TRB）漏極應力等，以確保其符合工業(yè)使用的高質(zhì)量標準。

總體而言，SemiQ的新型SiC模塊不僅在設計上更加靈活，還在性能和可靠性方面取得了顯著的提升。這將為電力電子應用領域帶來更多創(chuàng)新和便利，推動SiC技術在各個領域的廣泛應用。

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