據大眾日報報道，艾恩半導體自主研發(fā)的第一代碳化硅離子注入機已進入市場驗證階段。此外，該公司對標國際領先技術的第二代碳化硅離子注入機正在加速研發(fā)，預計今年9月面市。今年6月，艾恩半導體還將推出一款硅基中束流離子注入機，而其碳化硅大束流離子注入機則計劃于年底推向市場，有望填補國產設備在這一領域的空白。
離子注入機是芯片制造中僅次于光刻工藝的關鍵環(huán)節(jié)，其性能直接影響芯片內部結構器件的核心電學特性，對第三代半導體產業(yè)發(fā)展具有重要意義。由于技術門檻高、驗證周期長，該領域長期被國外廠商壟斷，國產化率較低，國內廠商易受制于人。在此背景下，艾恩半導體等國內企業(yè)積極布局，推動國產離子注入機的研發(fā)與應用。
艾恩半導體成立于2024年，在魯信集團直管企業(yè)魯信創(chuàng)投的支持下，將總部遷至山東濟南高新區(qū)。魯信創(chuàng)投在艾恩半導體成立初期便進行投資孵化，并通過招商引資助其落戶山東，進一步完善了山東第三代半導體產業(yè)鏈。此舉不僅促進了上下游企業(yè)的協(xié)同發(fā)展，還助力打造空間集聚、功能關聯(lián)的第三代半導體產業(yè)集群。
圖源：艾恩半導體

本文鏈接：http://www.tebozhan.com/showinfo-27-149202-0.html艾恩半導體離子注入機研發(fā)取得突破

聲明：本網頁內容旨在傳播知識，若有侵權等問題請及時與本網聯(lián)系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com

上一篇： Wolfspeed下調收入預期，SiC市場面臨挑戰(zhàn)

下一篇： 英飛凌發(fā)布財報，并推出新一代碳化硅MOSFET