復旦大學的研究團隊成功開發出一款名為“PoX”的超快速非易失性存儲器，其寫入速度高達400皮秒，為閃存技術樹立了新標桿。這一存儲器能夠在萬億分之一秒內完成數據讀寫，速度遠超傳統存儲設備。
傳統的靜態隨機存取存儲器（SRAM）和動態隨機存取存儲器（DRAM）寫入時間通常在1至10納秒之間，但它們是易失性存儲器，斷電后數據會丟失。而像固態硬盤（SSD）和USB閃存驅動器中的非易失性存儲器，雖然能在斷電后保留數據，但速度較慢，通常需要微秒到毫秒的時間。這種速度限制使其在現代人工智能（AI）系統中難以適用，因為AI系統需要實時處理大量數據。
PoX作為一種非易失性存儲器，不僅能在斷電時保留數據，還具備極低的能耗和超快的寫入速度，有望解決AI硬件中的存儲瓶頸問題。目前，AI硬件的大部分能耗都用于移動數據，而非處理數據。
復旦大學的周鵬教授及其團隊通過重新設計閃存結構，用二維狄拉克石墨烯取代傳統硅材料，實現了電荷向存儲層的極快流動，有效規避了傳統存儲器的速度限制。周鵬在接受新華社采訪時表示：“通過使用人工智能算法優化工藝測試條件，我們在這一創新方面取得了顯著進展。”
研究團隊已與制造合作伙伴緊密合作，完成了芯片的流片驗證，并取得了令人鼓舞的初步結果。復旦大學集成電路與系統國家重點實驗室的劉春森研究員表示：“我們現在能夠制造出小規模、功能完備的芯片。下一步是將其集成到現有的智能手機和電腦中。”
PoX芯片不僅打破了高速與非易失性無法兼得的限制，還為AI運算升級提供了可能。其極低能耗與驚人速度能大幅減少AI運算中數據搬移產生的延遲與能源浪費，對AI芯片、機器學習與自動駕駛汽車系統等應用尤為重要。

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