據(jù)《經(jīng)濟日報》報道，中國電機工程學會電力系統(tǒng)電力電子器件專委會主任委員邱宇峰指出，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，取代傳統(tǒng)硅基材料是行業(yè)發(fā)展的必然趨勢。碳化硅的應(yīng)用將呈現(xiàn)兩波浪潮，第一波集中在電動汽車領(lǐng)域，第二波則聚焦于電網(wǎng)領(lǐng)域。未來，碳化硅在電網(wǎng)中的需求量有望比肩新能源汽車市場。
國家電網(wǎng)中國電力科學研究院電力電子所副總工程師楊霏表示，目前碳化硅器件在電網(wǎng)中的應(yīng)用仍處于示范階段，但其對新能源汽車和智能電網(wǎng)的滲透率正在逐步提升。隨著分布式電源進入配網(wǎng)并形成有源配網(wǎng)，電力電子技術(shù)將成為新型電力系統(tǒng)的剛需。一旦形成剛需，電網(wǎng)對碳化硅器件的需求量將呈現(xiàn)數(shù)量級增長。
萬伏千安級碳化硅器件的研發(fā)正在加速推進，預(yù)計在未來幾年內(nèi)實現(xiàn)樣品研制并逐步進入商業(yè)化批量應(yīng)用。屆時，國產(chǎn)碳化硅器件有望全面覆蓋高壓輸電領(lǐng)域，推動新型電力系統(tǒng)建設(shè)。
天岳先進在碳化硅領(lǐng)域取得重要突破。據(jù)天岳先進介紹，基于量產(chǎn)的n型碳化硅襯底制備的單極型MOSFET器件，主要應(yīng)用于600-1200V的中壓場景。而對于特高壓系統(tǒng)10kV以上的耐壓需求，p型碳化硅襯底制備的雙極型IGBT器件展現(xiàn)出巨大潛力。基于p型襯底的SiC IGBT模塊不僅可減少50%的串聯(lián)器件數(shù)量，還能降低換流閥損耗40%以上，單條特高壓直流線路年節(jié)電量可超1億度。
目前，我國在n型碳化硅襯底領(lǐng)域已取得重要進展，但p型襯底因技術(shù)門檻較高，仍處于產(chǎn)業(yè)化初期階段。在SEMICON China2025展會上，天岳先進展示了6/8/12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品矩陣，包括12英寸高純半絕緣型、導(dǎo)電p型及導(dǎo)電n型碳化硅襯底。

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